介紹了電子儲存環(huán)注入凸軌沖擊磁鐵及其真空室常采用的幾種技術方案。合肥電子儲存環(huán)新凸軌注入系統(tǒng)選擇了鐵氧體磁鐵內置陶瓷真空室的方式。為了同時滿足脈沖磁場穿透性能及束流耦合阻抗的要求,陶瓷真空室的內壁須鍍1 層金屬薄膜。對已制備的鍍膜和無鍍膜陶瓷真空室尾場函數及損失因子進行了測量,并對結果進行了擬合計算,得到陶瓷真空室寬帶阻抗模型的有關參數。結合已進行的脈沖磁場穿透性能的結果,確立了改進的鍍膜參數。

　　根據不同的應用,電子儲存環(huán)的注入凸軌沖擊磁鐵及真空室有幾種技術方案。傳統(tǒng)的作法是采用空氣芯線圈,在不銹鋼超高真空室內放置單匝電流板線圈,以產生所需要的脈沖磁場。但這種方式勵磁效率低,體積大,真空室結構不連續(xù),相對于其他真空管道的損失阻抗較大 。Dortmunt 大學研究人員為1.5 GeV 儲存環(huán)DEL TA 設計了1 種新的縫隙型結構,它中間的兩條金屬板離束流較近,通過大部分鏡像壁電流。這種結構的特點是耦合阻抗低,損失因子比普通空氣芯磁鐵小至少一個量級,且結構簡單,易于實現(xiàn)。SLAC 也準備在NLC(next linear collider) 的2 種阻尼環(huán)(damping ring) 中采用這種結構。這種結構的缺點仍是勵磁效率不高,要獲得較大寬度的好場區(qū),場形設計難度較大。

　　在第3 代同步輻射光源儲存環(huán)中廣泛采用了鐵氧體磁鐵內置陶瓷真空室的方式 。使用陶瓷真空室的原因是使脈沖磁場能夠穿透真空室壁,避免渦流損耗及磁場波形畸變。陶瓷真空室內壁須鍍1 層很薄的金屬膜,以維持壁電流的連續(xù)性,從而減少束流耦合阻抗。因金屬膜會產生渦流損耗,因此,鍍膜不能太厚�？梢赃x擇非均勻鍍膜方式使鍍膜中具有一些絕緣條紋,這樣,既可減少渦流損耗及場畸變,又能維持較小的束流耦合阻抗。

　　合肥電子儲存環(huán)新凸軌注入系統(tǒng)項目中選擇了陶瓷真空室內壁鍍膜的技術方案,并進行了陶瓷真空室金屬化焊接實驗及鍍膜實驗。對鍍膜造成的磁場損耗、波形畸變及均勻性變化等影響進行了理論分析與實驗測量。本工作在此基礎上,對真空室的縱向耦合阻抗進行測量,結合磁場的分析與實驗結果,確立進一步改進的鍍膜參數。

1、實驗方法

　　為了測量陶瓷真空室及其他真空管道的阻抗,采用電流模擬法,并建立了一縱向阻抗測量系統(tǒng)。該系統(tǒng)可自動測量縱向尾場函數、能量損失因子、縱向阻抗,具有高斯電流脈沖寬度連續(xù)可調、精度高、定時準確等特點。

　　無鍍膜陶瓷真空室、鍍膜陶瓷真空室、內徑35 mm突變不銹鋼管道、無鍍膜陶瓷真空室外加導電鋁箔、鍍膜陶瓷真空室外加鐵氧體磁鐵和鍍膜陶瓷真空室外加導電鋁箔的形狀示于圖1。

圖1 　測量的幾種真空室

a ———無鍍膜;b ———鍍膜;c ———內徑35 mm 突變不銹鋼管道;d ———無鍍膜外加導電鋁箔;e ———已鍍膜加磁鐵;f ———已鍍膜加導電鋁箔

　　待測的鍍膜陶瓷真空室兩端焊接有不銹鋼法蘭,內孔為跑道形,截面尺寸為80 mm ×24 mm ,總長(包括兩端法蘭) 為350 mm。膜的方塊電阻約為1 Ω ,根據脈沖磁場穿透性能的要求,鍍膜具有一些絕緣條紋。在測量系統(tǒng)中,比較臂及測量臂的過渡段均為圓形( D=86 mm) ,在管子兩端為非平滑過渡,分別形成一內突變和一外突變結構。

2、測量結果及分析

2.1、無鍍膜和鍍膜的測量結果

　　無鍍膜和鍍膜2 種情況下的損失因子K 值曲線示于圖2 。圖2 (b) 是對應束團個數N =45 、存儲束流I = 300 mA 時的損失功率。采用了鍍膜陶瓷真空室的K 值及損失功率大約是未鍍膜真空室的1/ 5 。對應于σ= 100 ps ,鍍膜陶瓷真空室的K 值為0.14 TV/ C ,損失功率為61 W。

圖2 　無鍍膜和鍍膜情況下的K 值曲線(a) 和損失功率(b)

●———未鍍膜; ○———鍍膜

2.2、其他幾種情況下的測量結果

　　測量件的兩端分別有一內突變和一外突變結構,它們對K 值有一定貢獻。為了確定單獨由鍍膜引起的K 值以及研究進一步增加鍍膜厚度的必要性,選擇了2 種測量件,無鍍膜陶瓷真空室外加導電鋁箔及內徑為35 mm 的突變不銹鋼管道進行比較。當外加導電鋁箔和陶瓷真空室兩端金屬法蘭電接觸良好時,可以認為這種情況與同樣截面的不銹鋼管道阻抗基本一致。對內徑35 mm 突變不銹鋼管道的測量也是因為該管道突變結構和陶瓷管相類似,故可以作為一個參考。鍍膜真空室、無鍍膜真空室外加導電鋁箔及內徑35 mm 突變不銹鋼管道的K值示于圖3 。

　　從圖3 可見,對應于σ= 100 ps ,鍍膜真空室、未鍍膜真空室外加導電鋁箔及內徑35 mm突變不銹鋼管道的K 值分別為0.134 、0.091和0.063 TV/ C。因此,進一步增加鍍膜厚度估計能夠使K 值進一步減小, K 值大約能達到目前的1/2 。

　　真實情況下,鍍膜陶瓷真空室外均置有鐵氧體磁鐵。因此,應測量阻抗以確定鐵氧體磁鐵及勵磁電流板對阻抗有無影響。測量時,將勵磁電流板的一端接地(和真實情況相同) 。結果表明:鍍膜陶瓷真空室外加導電鋁箔的K 值沒有變化,這是因為鍍膜屏蔽了電磁場,因此,束流“看不到”鍍膜以外的導電層;外置鐵氧體磁鐵時的K 值也基本沒有變化。圖3 中K 值的差異在實驗的誤差范圍內,如由更換中心導線或波形定時等引起的誤差。

圖3 　不同真空室的K 值曲線

□———鍍膜陶瓷真空室; ○———內徑35 mm 突變不銹鋼管道; △———無鍍膜陶瓷真空室外加導電鋁箔;●———鍍膜陶瓷真空室外加導電鋁箔;▲———鍍膜陶瓷真空室外加鐵氧體磁鐵