觸發(fā)型真空弧放電特性研究

2014-04-19 萬翔 中國工程物理研究院電子工程研究所

  基于沿面放電設(shè)計了短間距的觸發(fā)型真空弧放電裝置,利用高速相機研究了觸發(fā)真空弧放電特性,獲得了不同放電時刻的放電圖像。通過分析放電圖像,發(fā)現(xiàn)主弧放電開始階段,主弧電流主要為電子電流,而且在陽極附近觀察到較強的離子電流。研究發(fā)現(xiàn)陰極斑的形成和等離子體的擴散是主間隙擊穿的關(guān)鍵因素。初始陰極斑不僅為發(fā)回路提供載流子,同時影響著主間隙的擊穿。文章討論了陰極表面離子鞘層對表面電場的影響,陰極表面場強可達107 V/m。同時本文討論了背景氣壓對電極間隙放電延遲時間的影響。

  真空弧放電能產(chǎn)生高電流的離子束,尤其用于產(chǎn)生金屬離子束,被廣泛用于工業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)研究中,比如材料表面改性、加速器離子注入,等離子體推進器以及核物理研究與應(yīng)用等等方面。觸發(fā)真空間隙結(jié)構(gòu)(Triggered Vacuum Gap,TVG)是一種放電結(jié)構(gòu),在高壓脈沖功率研究領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,通流能力強,而且其擊穿電壓遠低于相同電極間距下的真空擊穿,可以在較低的電壓脈沖作用下產(chǎn)生高強度的離子束。Lafferty 和Boxman較早的對這種放電結(jié)構(gòu)進行了研究,Gilmour 和Lockwood 最早將這種結(jié)構(gòu)用于可重復(fù)的脈沖真空弧等離子體槍,后來Lawrence Berkerey Laboratory在此基礎(chǔ)上又發(fā)展了一系列帶觸發(fā)結(jié)構(gòu)的金屬真空弧離子源(Metal Vapor Vacuum Arc,MEVVA)。

  目前對于其擊穿機理還沒有一個統(tǒng)一的理論,對其的研究手段也多限于電壓、電流及放電延遲時間等參數(shù)的測量。高速相機由于具有較高的時空分辨能力,可通過得到的放電圖像觀察陰極斑的發(fā)光情況,真空技術(shù)網(wǎng)(http://www.13house.cn/)認為對于研究短脈沖的真空弧放電特性有重要的幫助。本文設(shè)計了短間距觸發(fā)型真空弧放電裝置,通過高時空分辨能力的高速相機與放電參數(shù)測量相結(jié)合的手段對其放電特性進行了研究,討論了陰極斑的形成和等離子體的擴散對觸發(fā)真空弧放電的影響。

1、實驗裝置

  圖1 為觸發(fā)型放電實驗示意圖,包括真空腔室、觸發(fā)型真空弧放電裝置、電源系統(tǒng)、高速相機以及電流電壓測試系統(tǒng)。觸發(fā)放電結(jié)構(gòu)包括圓盤狀陰極、觸發(fā)電極以及筒狀陽極,陰陽極間距1 mm。觸發(fā)采用沿面閃絡(luò)的放電形式,絕緣材料使用氧化鋁陶瓷,觸發(fā)極與陽極選用不銹鋼材料,陰極材料選用銅金屬。

  實驗動態(tài)真空度為3×10-3 Pa。電源系統(tǒng)可以輸出兩路信號1 和2。信號1 輸出電壓+10 kV,接到觸發(fā)電極,輸出幅值為5 A 的方波電流,脈沖寬度1 μs。信號2 輸出電壓+2.5 kV,接到陽極,輸出200 A 的方波電流,脈沖寬度20 μs。實驗過程中陰極接地。采用的四分幅的超高速相機(HighSpeed Framing Camera),包含四個像增強器模塊,在Double 曝光模式下,可實現(xiàn)8 分幅影像,其最小曝光時間3 ns、分辨率為1280×1024 像素,相機的光譜響應(yīng)范圍為280~1000 nm。使用脈沖發(fā)生器輸出TTL 信號控制高速相機與電源系統(tǒng)工作的時序關(guān)系(外觸發(fā)模式)。使用Rogowski 線圈測量主弧電流與觸發(fā)電流,由示波器記錄電壓和電流波形。

觸發(fā)型真空弧放電實驗示意圖

圖1 觸發(fā)型真空弧放電實驗示意圖

4、結(jié)論

  本文研究了觸發(fā)型真空弧放電特性,結(jié)合放電圖像分析了其擊穿的機理和放電特性。通過實驗發(fā)現(xiàn),觸發(fā)放電擊穿的關(guān)鍵因素在于陰極斑的形成以及等離子體的擴散。初始陰極斑形成以后,不僅為觸發(fā)回路電流提供導(dǎo)通所需的載流子,而且為初始等離子體向間隙擴散導(dǎo)致了主間隙擊穿。主間隙的擊穿在于在初始等離子體的擴散,并在陰極表面產(chǎn)生了正離子鞘層,利用鞘層理論計算了初始等離子體作用下陰極表面的電場強度,可產(chǎn)生新的陰極斑。通過分析放電圖像發(fā)現(xiàn)了主弧放電前期電子電流起到了很重要的作用,而且觀察到金屬蒸汽擴散導(dǎo)致陽極附近出現(xiàn)較強的等離子體。另外研究了不同背景氣壓條件下,觸發(fā)放電延時時間的變化,證實了等離子體擴散對于主間隙擊穿的影響。本文工作對于進一步認識和理解觸發(fā)型真空弧放電特性具有參考價值。