真空內(nèi)扭擺磁鐵的內(nèi)真空盒對(duì)高次模發(fā)熱的抑制作用

2010-03-29 肖瓊 中科院高能物理研究所

  介紹了BEPCⅡ真空內(nèi)扭擺磁鐵的內(nèi)真空盒系統(tǒng)。當(dāng)BEPCⅡ在對(duì)撞模式下運(yùn)行時(shí),真空內(nèi)扭擺磁鐵的間隙拉開到最大值,將內(nèi)真空盒推入磁極中間,可以使上下游真空盒實(shí)現(xiàn)連續(xù)光滑的RF 過渡,從而降低束流阻抗和高次模發(fā)熱。通過束流實(shí)驗(yàn)觀察了內(nèi)真空盒推入前后磁極表面溫度的升高過程,證實(shí)了其對(duì)于降低磁極上的高次模發(fā)熱是有效的。在有內(nèi)真空盒的條件下,觀察到磁極表面的平衡溫度與總流強(qiáng)和單束團(tuán)流強(qiáng)的乘積成線性關(guān)系。

  北京正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)改造工程(BEPCⅡ)的儲(chǔ)存環(huán)外環(huán)第四象限上安裝有一臺(tái)真空內(nèi)扭擺磁鐵(代號(hào)4W2),這是國內(nèi)目前磁場(chǎng)最高,磁間隙可調(diào)范圍最大以及橫向好場(chǎng)區(qū)最寬的真空內(nèi)扭擺磁鐵[1]。

  4W2 的真空腔室較大,孔徑與其上下游的儲(chǔ)存環(huán)真空盒不一致,這種結(jié)構(gòu)會(huì)帶來相應(yīng)的束流阻抗。為了運(yùn)行時(shí)形成鏡像壁電流的連續(xù)通路, 保持良好的電接觸, 減小高次模的泄漏及束流不穩(wěn)定性, 4W2 真空室內(nèi)安裝了一套內(nèi)真空盒系統(tǒng)。其功能類似于屏蔽波紋管的RF- finger,可以幫助4W2 與上下游真空盒實(shí)現(xiàn)連續(xù)光滑的RF過渡[2,3] 。

  本文介紹了使用內(nèi)真空盒系統(tǒng)前后,4W2磁極在束流運(yùn)行時(shí)的發(fā)熱情況,確認(rèn)了內(nèi)真空盒系統(tǒng)在抑制高次模發(fā)熱方面的作用。

1、4W2 內(nèi)真空盒系統(tǒng)簡介

  如圖1 所示,當(dāng)加速器運(yùn)行在對(duì)撞模式時(shí),扭擺磁鐵的磁極豎直方向完全拉開(gap=120 mm),可以通過直線電機(jī)將一個(gè)和上下游真空盒截面相一致的內(nèi)真空盒(52 mm×120 mm 的跑道型束流孔徑),水平推入扭擺磁鐵極面中間[4],使得4W2與上下游真空盒實(shí)現(xiàn)連續(xù)光滑的RF 過渡,從而減少了束流阻抗。當(dāng)加速器運(yùn)行在同步輻射專用模式運(yùn)行時(shí),相反地操作,水平拉回內(nèi)真空盒,扭擺磁鐵的磁極合攏,最小的磁間隙可壓縮到12 mm,可允許同步輻射專用模式在小間隙下工作。

圖1 真空內(nèi)扭擺磁鐵的內(nèi)真空盒

圖1 真空內(nèi)扭擺磁鐵的內(nèi)真空盒

2、4W2 磁極的高次模發(fā)熱實(shí)驗(yàn)

  該實(shí)驗(yàn)在同樣的束流條件下,分別觀察推入內(nèi)真空盒之前和之后4W2 磁極表面的升溫過程。測(cè)溫用的熱偶安裝在磁極的側(cè)表面。熱偶信號(hào)經(jīng)真空穿墻件引出后,就地轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)傳送,避免了傳輸誤差。

  另外,由于高次模在對(duì)磁極加熱的同時(shí)也會(huì)對(duì)熱偶本身加熱,且熱偶本身升溫要快于磁極表面,因此在測(cè)量磁極表面的溫度時(shí)需要等熱偶的讀數(shù)穩(wěn)定一段時(shí)間,才能認(rèn)為該讀數(shù)接近磁極表面的真實(shí)溫度。注入過程以及丟束過程中出現(xiàn)的溫度陡升和陡降都視為干擾,不作為溫度數(shù)據(jù)。

2.1、推入內(nèi)真空盒之前的實(shí)驗(yàn)

  在BEPCⅡ 對(duì)撞模式下(1.89 GeV),當(dāng)4W2的磁極完全拉開,內(nèi)真空盒還沒有推入極面中間,我們做了以下束流實(shí)驗(yàn)。通過top- up 注入方式,將電子束流的總流強(qiáng)維持在340~350 mA 之間,注入的束團(tuán)數(shù)為50,觀察4W2 磁極表面溫度變化過程。

  束流維持了大約1 h 后, 溫度上升到了185℃左右,如圖2 所示。溫度在185℃維持了大約40 min 后,繼續(xù)上升達(dá)到了198℃。這時(shí),由于磁極溫度過高可能發(fā)生退磁,我們不再補(bǔ)注束流。此后,流強(qiáng)不斷下降,溫度曲線的陡升和陡降是束流丟失過程中的干擾信號(hào)。

2.2、推入內(nèi)真空盒之后的實(shí)驗(yàn)

  保持4W2 磁極的完全拉開狀態(tài),將內(nèi)真空盒推入極面中間,重新觀察在上述束流條件下,4W2 磁極表面的升溫過程。如圖3 所示,這次實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了大約4 h,溫度上升到130℃之后,一直維持在130℃~140℃之間,沒有繼續(xù)升高(實(shí)驗(yàn)結(jié)束時(shí),溫度曲線尾部的突起是束流丟失過程中的干擾信號(hào))。

推入內(nèi)真空盒之前的束流實(shí)驗(yàn)結(jié)果推入內(nèi)真空盒之后的溫升實(shí)驗(yàn)

圖2 推入內(nèi)真空盒之前的束流實(shí)驗(yàn)結(jié)果 圖3 推入內(nèi)真空盒之后的溫升實(shí)驗(yàn)

2.3、不同束流條件下的平衡溫度

  從推入內(nèi)真空盒之后的溫升實(shí)驗(yàn)可以看出,有了內(nèi)真空盒, 對(duì)應(yīng)于某一穩(wěn)定的束流條件,4W2 磁極表面溫度可以保持在一個(gè)平衡溫度附近,并維持比較長的時(shí)間。我們改變束流的總流強(qiáng)I 以及束團(tuán)個(gè)數(shù)n,通過幾次實(shí)驗(yàn)來觀察平衡溫度T 的相應(yīng)變化。已知高次模發(fā)熱功率基本上與總流強(qiáng)和單束團(tuán)流強(qiáng)的乘積(I2 /n)成正比[5] ,考察一下幾次實(shí)驗(yàn)中平衡溫度T 與I2 /n 的關(guān)系,結(jié)果歸納如表1(I 取top- up 注入的平均流強(qiáng)):

表1 不同束流條件下的平衡溫度

不同束流條件下的平衡溫度

  由直線擬合可以看出,T 與I2 /n 成線性關(guān)系,如圖4。

  擬合得到的公式是T=28.2+0.04523 I2/n。由此外推,如果限定平衡溫度不能超過180℃,束團(tuán)個(gè)數(shù)為99,那么可算得此時(shí)允許的top- up 注入的平均流強(qiáng)大約為576 mA, 也就是大約在570~580 mA 之間。如果要將束流流強(qiáng)的上限提高到580 mA 以上,那么就必須降低top- up 注入的下限。實(shí)際運(yùn)行中,注入的束流經(jīng)常在600 mA 以上,那么必須等流強(qiáng)降至500 mA 以下才進(jìn)行補(bǔ)注,以限制4W2 磁極的溫升。

平衡溫度與I2/n 成線性關(guān)系

圖4 平衡溫度與I2/n 成線性關(guān)系

3、結(jié)論

  通過推入內(nèi)真空盒前后的束流實(shí)驗(yàn),觀察到在相同束流條件下,有內(nèi)真空盒時(shí)的4W2 磁極表面溫升明顯低于沒有內(nèi)真空盒時(shí)的溫升?梢,內(nèi)真空盒起到了很好的抑制高次模發(fā)熱的作用。實(shí)際上,在BEPCⅡ后來的高流強(qiáng)(600 mA 以上)運(yùn)行中,內(nèi)真空盒成為了4W2 磁極不可或缺的保護(hù)屏[6] 。

  在有內(nèi)真空盒的條件下,4W2 磁極表面溫度可以保持在一個(gè)平衡溫度附近,并維持比較長的時(shí)間。平衡溫度與總流強(qiáng)和單束團(tuán)流強(qiáng)的乘積I2 /n 成線性關(guān)系。

參考文獻(xiàn)

  [1] 石才土,景毓輝,李大仕,等. 第一臺(tái)真空內(nèi)扭擺磁鐵的設(shè)計(jì)與研制[J]. 高能物理與核物理, 2004,28(6):637- 643.
  [2] 周德民,石才土. 加耦合腔后4W2 阻抗測(cè)量[R]. 北京:中科院高能物理研究所,2006.
  [3] 周利娟. BEPCⅡ 儲(chǔ)存環(huán)高頻屏蔽波紋管發(fā)熱實(shí)驗(yàn)[J]. 真空,2005,42(2): 49- 52.
  [4] 盛樹剛,曹云. 4W2 真空內(nèi)扭擺磁鐵耦合腔及移動(dòng)裝置設(shè)計(jì)[R]. 上海:上海交通大學(xué),2004.
  [5] Chao A W,Tigner M. Hand book of accelerator physicsand engineering [M]. Singapore: World ScientificPublishing Co. Pte. Ltd,1999: 212- 213.
  [6] Wang J Q,Ma L,Zhang C. The second phase commissioningof BEPC Ⅱ [C]//Proceedings of the 40th ICFA AdvancedBeam Dynamics Workshop on e+e- Factories. Novosibirsk,2008.