GB/T 11164—1999 真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件

Vacuum coating plant generic specification

       GB/T 11164—1999 真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件標準是對GB/T 11164-1989《真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件》進行修訂而編制的。

       在內(nèi)容上，對某些技術(shù)指標進行了修改.如:B類鍍膜設(shè)備抽氣時間從原來的15,20 min改為10min;增加了升壓率指標;并且由于原標準中C類鍍膜設(shè)備國內(nèi)已無生產(chǎn)廠生產(chǎn).在本次標準修訂中將C類產(chǎn)品取消。

       本標準自實施之日起代替GB/T 11164-1989。

一、范圍

       GB/T 11164—1999 真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件標準規(guī)定了真空鍍膜設(shè)備技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸和貯存等。

       本標準適用于壓力在10-4- 10-3Pa范圍的蒸發(fā)類、濺射類、離子鍍類真空鍍膜設(shè)備(以下簡稱設(shè)備)

二、引用標準

       下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構(gòu)成為本標準的條文。本標準出版時，所示版本均為有效，所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性。

       GB 191-199 包裝儲運圖示標志

       GB/T 6070-1995 真空法蘭

       GB/T 13384-1992 機電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件

       JB/T 7673-1995 真空設(shè)備型號編制方法

三、定義

       本標準采用下列定義。

       3.1 極限壓力

       真空系統(tǒng)正常工作時，空載干燥的鍍膜室逐漸穩(wěn)定的最低壓力。單位:Pa,

       3.2 抽氣時間

       真空系統(tǒng)正常工作時，將空載干燥的鍍膜室從大氣壓(10⁵Pa)抽到規(guī)定的壓力所需要的時間。單位:min。

       3.3 升壓率

       將空載干燥的鍍膜室連續(xù)抽氣至穩(wěn)定的最低壓力后，截止抽氣，在鍍膜室內(nèi)由于漏氣或內(nèi)部放氣所造成的單位時間的升壓。單位:Pa/h。

       四、技術(shù)要求

       1 設(shè)備正常工作條件

       1.1 環(huán)境溫度:10-30'C.

       1.2 相對濕度:不大于75%。

       1.3 冷卻水進水溫度:不高于25'C。

       1.4 冷卻水質(zhì):城市自來水或質(zhì)量相當?shù)乃��?/p>

標準全文下載：

　　GB/T 11164-1999 真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件