脈沖磁控濺射一般使用矩形波電壓，這不僅是因?yàn)橛矛F(xiàn)有的電子器件采用開關(guān)工作方式可以方便地獲得矩形波電壓波形，而且矩形波電壓波形有利于研究濺射放電等離子體的變化過(guò)程。圖1為用于脈沖濺射的矩形波電壓波形，脈沖周期為T，每個(gè)周期中靶被濺射的時(shí)間為T-ΔT，ΔT為加到靶上的正脈沖時(shí)間 (寬度) 。V和V分別為加到靶上的負(fù)脈沖與正脈沖的電壓幅值。為了保持較高的濺射速率，正脈沖的持續(xù)時(shí)間ΔT要遠(yuǎn)小于脈沖周期T。

　　為了能在較短的ΔT時(shí)間內(nèi)完全中和靶面絕緣層上累積的正電荷，靶面上的正電壓V不能過(guò)低，但一般也不高于100V。由于所用的脈沖波形是非對(duì)稱性的，因此得名為非對(duì)稱脈沖磁控濺射。

圖1 用于脈沖反應(yīng)濺射的矩形波電壓波形

　　脈沖濺射與中頻雙靶濺射不同，它一般只使用一個(gè)靶。采用脈沖反應(yīng)磁控濺射技術(shù)，P.F rach等實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定的Al2O3薄膜沉積，沉積速率達(dá)到240 nm/min，制備的Al2O3薄膜厚度達(dá)50μm。由于成功地消除了靶的打火，Al2O3薄膜中的缺陷減少了3~4個(gè)數(shù)量級(jí)[12]。脈沖反應(yīng)磁控濺射在沉積Si O2、Ti Ox、Ta Ox、Si Nx、DLC、Al2O3、ITO等多種薄膜的過(guò)程中都顯示了它的優(yōu)越性。

　　脈沖濺射對(duì)于靶材的散熱更有利，也就是有可能以高功率脈沖供電，因此，濺射工藝有更大的選擇性和靈活性。中頻交流磁控濺射技術(shù)和非對(duì)稱脈沖濺射技術(shù)的出現(xiàn)，為化合物反應(yīng)濺射成膜技術(shù)實(shí)現(xiàn)工業(yè)化奠定了基礎(chǔ)。