氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化速率
2013-05-27 劉洪金 皇明太陽能股份有限公司鍍膜研發(fā)中心
本真空磁控濺射系統(tǒng)中, 反應(yīng)濺射沉積AlN 所需反應(yīng)氣體N2 流量約為100 ml/ min。圖5 給出了不同環(huán)境溫度下, 壓電閥在N2 輸出流量為100 ml/min 附近, 流量Q 隨偏置電壓Vo 的變化曲線, 壓電陶瓷閥環(huán)境溫度分別取10, 25 和40℃。由圖5 可見, 環(huán)境溫度越高, Q 隨Vo 的變化曲線越陡, 即變化速率R 越大。溫度10℃ 時R 僅為13; 25 ℃ 時R 為27, 為10 ℃ 時的2.1 倍; 40 ℃時R 高達56, 為10 ℃ 時的4.3倍。即偏置電壓變化Vo 時, 40 ℃ 時氣體的輸出變化量Q 約是10 ℃ 的4.3 倍。
圖5 氣體N2 輸出流量Q 在100 ml/ min 附近, Q 隨偏置電壓Vo 的變化曲線
試驗了相鄰鍍膜室的兩個PCV25 壓電閥A 和B, 在同一環(huán)境溫度25 ℃ 下的N2 輸出流量Q 與偏置電壓Vo 的關(guān)系。壓電閥A 和B 的Q-Vo 遲滯曲線形狀相同, 閾值電壓、飽和電壓略有差異, 這是壓電閥的個體差異導(dǎo)致的。N2 輸出流量100 ml/ min 附近時, 兩壓電閥的Q 隨Vo 變化速率R 相同, 均為27。根據(jù)壓電閥的這個特性, 可以在某個鍍膜單元的閉環(huán)控制參數(shù)優(yōu)化完成后, 將其推廣應(yīng)用至其他鍍膜單元。
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