ZnO 為直接帶隙的半導(dǎo)體，室溫下禁帶寬度約為3.4eV,在可見光區(qū)透明，在光電子器件中有重要應(yīng)用。摻雜可以調(diào)節(jié)ZnO 的光、電及磁等性能。ZnO 已被摻入Sn 等雜質(zhì)元素，但大多集中在包括納米線及納米棒等納米結(jié)構(gòu)上。濺射是一種重要的制備及摻雜薄膜的方法，目前沒有見到共濺射制備Sn 摻雜的ZnO 膜(ZnO:Sn)的報(bào)道;另外,ZnO:Sn 的熱電性能也沒有見到報(bào)道。

　　我們采用共濺射的方法，以金屬Zn(99.999%)和Sn(99.999%)做靶，通入氧和氬，在硅片和玻璃上沉積ZnO:Sn，同時(shí)為對(duì)比，在關(guān)閉Sn 靶并保持其它濺射工藝參數(shù)完全不變的條件下，制備了ZnO 膜。采用X 射線衍射、掃描電鏡、四探針、紫外可見分光譜儀及賽貝克效應(yīng)等對(duì)所制備的樣品進(jìn)行了測(cè)試。所得結(jié)果表明，摻雜和不摻雜的ZnO 膜都是六方結(jié)構(gòu)，以(002)為擇優(yōu)取向，Sn 摻雜導(dǎo)致(002)峰向小角度移動(dòng)，這種移動(dòng)很可能是由于膜內(nèi)存在應(yīng)力所致;相同制備條件下，ZnO:Sn 的電導(dǎo)率遠(yuǎn)大于沒有摻雜的ZnO;從樣品的透射和反射譜，得到了其吸收曲線并擬合了光學(xué)帶隙，發(fā)現(xiàn)相同制備條件下，ZnO:Sn 的光學(xué)帶隙小于沒有摻雜的ZnO 的光學(xué)帶隙。我們還對(duì)ZnO:Sn 及ZnO 的熱電性能進(jìn)行了測(cè)試及討論。