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等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)基礎(chǔ)

等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。

晶界“背脊”形貌對熱障涂層熱沖擊壽命的影響

本文的主要研究工作是采用化學(xué)氣相沉積和電子束物理氣相沉積技術(shù)在鎳基單晶高溫合金上分別制備鉑改性鋁化物涂層和陶瓷熱障涂層，開展粘結(jié)層表面晶界“背脊”形貌對熱障涂層體系熱沖擊壽命的影響行為和可能的TBCs 剝

中間層類型對類金剛石涂層鍵合結(jié)構(gòu)和性能的影響行為

PVD鍍膜能夠鍍出的膜層的顏色種類

PVD鍍膜目前能夠做出的膜層的顏色有深金黃色，淺金黃色，咖啡色，古銅色，灰色，黑色，灰黑色，七彩色等。

化學(xué)氣相沉積/原子層沉積銅前驅(qū)體的研究進展

本文介紹了利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)與原子層沉積技術(shù)沉積銅薄膜工藝的研究；概述了應(yīng)用所述前驅(qū)體進行銅薄膜沉積的參數(shù)及所制備銅薄膜的導(dǎo)電性能。

靶基距和錠料蒸發(fā)速率對沉積薄板厚度均勻性的影響

本工作根據(jù)真空蒸鍍中小面源具有方向性的發(fā)射特性，即余弦角度分布規(guī)律，同時結(jié)合EBPVD自身發(fā)射特點，建立了一個多錠料蒸發(fā)理論模型，討論了靶基距和不同坩堝蒸發(fā)速率對厚度均勻性和有效蒸發(fā)效率的影響，并對實際沉

不同頻率濺射沉積的新型耐磨二硼化釩涂層的結(jié)構(gòu)及性能

本文的主要目的就是選擇幾種不同頻率的電源制備VB2涂層，測試及比較不同頻率下制備出的新型VB2涂層的結(jié)構(gòu)和性能。

CVD直接生長技術(shù)高效碳納米管鎳氫電池的研究

采用熱化學(xué)氣相沉積技術(shù)(CVD)，在泡沫鎳表面直接生長多壁碳納米管(MWNT)，以此MWNT-泡沫鎳基底為電池集流體，并使用該基底、通過干粉末滾壓工藝制備鎳氫電池電極，對電池進行了一系列的充放電性能測試。

MPCVD法合成單晶金剛石的研究及應(yīng)用進展

本文簡介近年來MPCVD技術(shù)合成單晶金剛石的研究進展，評述了在該研究領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位的英美日等國有關(guān)公司及研究機構(gòu)所取得的成果，并對單晶金剛石的應(yīng)用前景作出了展望。

基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法研究

本文提出了基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法，綜合了單因素試驗和數(shù)字模擬的正交試驗設(shè)計兩種優(yōu)化方法。

大批量微細刀具HFCVD涂層制備的溫度場仿真與試驗分析

本文以HFCVD沉積大批量微細刀具金剛石涂層系統(tǒng)為研究對象，利用有限容積法的仿真方法，對影響基體溫度場的多個工藝參數(shù)進行仿真與分析，并提出優(yōu)化設(shè)計的方案。

固態(tài)碳源溫度對法CVD生長石墨烯薄膜影響的研究

本文主要探索了固態(tài)源溫度變化對石墨烯生長的影響，并采用固態(tài)源動態(tài)變溫的方法生長了石墨烯，有效提高了所得石墨烯薄膜的覆蓋率。

MPCVD法制備低粒徑納米金剛石薄膜的研究

采用MPCVD法，以Ar/H2/CH4為氣源，探索較高濃度氬氣和氣壓條件下低粒徑納米金剛石的制備工藝，并對生長的納米金剛石膜的晶粒尺寸，薄膜質(zhì)量，殘余應(yīng)力，表面形貌進行分析。

微波等離子體化學(xué)氣相沉積超納米晶金剛石膜研究

超納米晶金剛石(UNCD)在短毫米波特別是太赫茲真空器件輸能窗中具有潛在的應(yīng)用價值。本文介紹了UNCD膜的制備工藝和性能表征。

MPCVD工藝參數(shù)對石墨烯性能影響的研究

實驗采用MPCVD裝置，以氫氣和甲烷為主要氣源，氮氣和氬氣為輔助氣源在鎳片上生長石墨烯薄膜，并對不同條件下制備樣品進行拉曼光譜儀表征。

微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)法在碳纖維上制備碳納米管

利用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)法在碳纖維上制備了碳納米管，并在此基礎(chǔ)上系統(tǒng)地研究了微波功率、反應(yīng)時間、催化劑前驅(qū)體的吸附時間以及吸附濃度對碳納米管生長的影響。

聚碳酸酯表面碳基薄膜的制備及其光學(xué)性能研究

本文采用RFPECVD技術(shù)在PC材料表面沉積DLC薄膜，研究DLC薄膜和PC基片系統(tǒng)的摩擦學(xué)和光學(xué)性能。

正交電磁場離子源及其在PVD 法制備硬質(zhì)涂層中的應(yīng)用

本文介紹幾種不同類型的正交電磁場離子源，并結(jié)合其在不同體系硬質(zhì)涂層沉積過程中的應(yīng)用，綜述離子源的結(jié)構(gòu)、工作原理;分析其產(chǎn)生的離子束對硬質(zhì)涂層成分、結(jié)構(gòu)、性能的影響。

CO2對MPCVD制備金剛石膜的影響研究

應(yīng)用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)技術(shù)，以CH4/H2/N2為主要氣源，通過添加CO2輔助氣體，并與未添加CO2輔助氣體進行對比，進行了金剛石膜沉積。

MPCVD法制備石墨烯的研究進展

文章首先通過分析比較得出了制備石墨烯的幾種主要方法的優(yōu)缺點，重點強調(diào)了微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)法制備石墨烯的優(yōu)勢。