基于過濾陰極真空電弧鍍(FCVA)制備類金剛石薄膜(DLC)及其場發(fā)射性能分析

2012-12-25 王 超 東南大學電子科學與工程學院顯示技術中心

基于過濾陰極真空電弧鍍(FCVA)制備類金剛石薄膜(DLC)及其場發(fā)射性能分析

王 超 趙志偉

(東南大學電子科學與工程學院顯示技術中心 南京 210096)

  摘要 類金剛石薄膜(DLC)在結(jié)構(gòu)上屬于不定型碳膜,其化學鍵主要由sp3鍵(金剛石鍵)和sp2 鍵(石墨鍵)組成,它具有類似金剛石的性質(zhì),如高硬度、化學穩(wěn)定、高熱傳導率、較小的熱膨脹系數(shù)、較高的電阻率。并且DLC 薄膜具有較低的電子親和勢,相對較低的功函數(shù)和禁帶寬度,在外電場作用下,電子容易逸出,產(chǎn)生發(fā)射電流。

  本課題通過FCVA 方法制備DLC 薄膜,利用拉曼光譜、AFM 等方法,分析其內(nèi)部結(jié)構(gòu),表征其微觀結(jié)構(gòu)形貌,并測試場發(fā)射性能。本實驗采用FCVA 系統(tǒng)濺射沉積DLC 薄膜,靶材選用純度99.99%的石墨靶,實驗環(huán)境氣壓為2.5×10-3 Pa,環(huán)境溫度為室溫,樣品為ITO 玻璃和載玻片。

  通過電弧鍍,在ITO玻璃上沉積2 cm×2 cm 的正方形DLC 薄膜,用于組裝二極型場發(fā)射結(jié)構(gòu),測試器場發(fā)射性能,在載玻片上形成的DLC 薄膜用于拉曼測試和AFM 測試表征。其中,場發(fā)射測試在真空中進行,環(huán)境氣壓為10-6 Torr,環(huán)境溫度為室溫。