影響磁控濺射制備TiO2 薄膜性能的因素研究

馬健波，徐均琪，鄒逢

(西安工業(yè)大學(xué) 陜西省薄膜技術(shù)與光學(xué)檢測(cè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，陜西 西安 710032)

　　從研究制備條件對(duì)Ti02薄膜的透射率及光學(xué)常數(shù)的影響出發(fā)，利用分光光度計(jì)測(cè)量薄膜的透射率，橢圓偏振光譜儀作為確定薄膜光學(xué)參數(shù)的測(cè)試儀器，研究了不同制備條件對(duì)Ti02薄膜光學(xué)特性的影響。

　　研究結(jié)果表明，濺射電流、工作氣壓和氧氣/氬氣流量比對(duì)Ti02薄膜光學(xué)特性的影響主要表現(xiàn)為：隨著濺射電流由4A增大到8A，Ti02薄膜的消光系數(shù)由0.043減小至基本為0。隨著工作氣壓由1.3Pa減小到0.7Pa，Ti02薄膜的折射率由2.2增大到2.25，消光系數(shù)由0增大到0.035，適當(dāng)?shù)脑龃蠊ぷ鳉鈮�，能夠獲得較小消光系數(shù)的Ti02薄膜。當(dāng)氧氣和氬氣的流量比過(guò)高(3:2)或過(guò)低(2:3)，都會(huì)使薄膜性能降低，當(dāng)氧氣和氬氣的流量比為1:1時(shí)最佳，Ti02光學(xué)薄膜的消光系數(shù)在氧氣/氬氣的比率為1：1時(shí)最小基本為零。

　　因此可以通過(guò)加大濺射電流或增加工作氣壓來(lái)獲得消光系數(shù)極低的Ti02薄膜。同時(shí)把氧氣和氬氣流量比控制在1:1時(shí)能獲得低消光系數(shù)的Ti02薄膜。同時(shí)文章得出了采用磁控濺射時(shí)最佳工藝參數(shù)為：濺射電流為8A，工作氣壓為1.3Pa，氧氣和氬氣流量比為1:1。

　　關(guān)鍵詞：磁控濺射，TiO2 薄膜，光學(xué)常數(shù)，消光系數(shù)