含氫類金剛石薄膜的制備及其光學(xué)常數(shù)研究

張艷茹 杭凌俠 惠迎雪 潘永強(qiáng)

(西安工業(yè)大學(xué)陜西省薄膜技術(shù)與光學(xué)檢測(cè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 西安 710032)

　　摘要：利用非平衡磁控濺射技術(shù)制備類金剛石薄膜時(shí)，在放電氣體中引入含-CH3 原子團(tuán)的甲烷氣體，即采用反應(yīng)磁控濺射技術(shù)得到含氫DLC 薄膜，實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)如圖1 所示。對(duì)反應(yīng)氣體流量進(jìn)行工藝優(yōu)化后，薄膜沉積速率可提高到3.8 nm/min;氫元素的加入使得折射率、消光系數(shù)降低，其中消光系數(shù)的變化比較明顯，減小一個(gè)數(shù)量級(jí)，詳見(jiàn)圖2；在1064 nm 處，采用典型制備工藝參數(shù)，含氫DLC 薄膜復(fù)折射率可到達(dá)1.7032～i0.0041，根據(jù)CH4氣體流量的不同，復(fù)折射率小范圍上下變動(dòng);相同厚度的DLC 薄膜，在3-5mm波段，反應(yīng)氣體的加入使得峰值透過(guò)率增高15%。

　　關(guān)鍵詞：反應(yīng)磁控濺射 含氫類金剛石薄膜 光學(xué)常數(shù) 透過(guò)率