導(dǎo)電薄膜電阻測量技術(shù)的可靠性研究

2009-12-14 謝鴻波 廣州半導(dǎo)體材料研究所

  針對手提式薄膜方塊電阻測試儀在使用中容易出現(xiàn)的問題,進行分析研究,提出了解決方案,并在實驗中得到實現(xiàn)。研究的問題包括:電池供電的電壓監(jiān)測;探頭完全與被測樣品接觸良好的檢測;防止探針對被測樣品造成電擊穿;測量時自動進行量程轉(zhuǎn)換等。

  隨著濺射技術(shù)、靶材技術(shù)的發(fā)展深入和成熟,使以氧化銦錫透明導(dǎo)電玻璃(ITO 玻璃)為代表的導(dǎo)電薄膜材料的制造和應(yīng)用越來越廣泛。ITO 玻璃目前是與液晶顯示等平面顯示技術(shù)配套的關(guān)鍵組件。從1987 年起至今,ITO 玻璃的制造在國內(nèi)已有二十年的歷史。產(chǎn)品已廣泛用于電子手表、計算器、游戲機、移動電話、電腦顯示器、平面電視等消費類產(chǎn)品,以及各種光電儀器設(shè)備和科學(xué)實驗中的透明導(dǎo)電電極等。現(xiàn)在,國內(nèi)已有ITO 玻璃生產(chǎn)企業(yè)的單位年生產(chǎn)能力由60 萬片提高到了2000 萬片。產(chǎn)品也從TN 型ITO 玻璃,延伸到STN 型、觸摸屏、彩色濾光片……眾多品種。

1、導(dǎo)電薄膜材料的檢測參數(shù)

  面對越來越大量的導(dǎo)電薄膜材料的生產(chǎn)制造,如何保證產(chǎn)品的質(zhì)量?除了要求生產(chǎn)企業(yè)的生產(chǎn)線穩(wěn)定性不斷提高,檢測技術(shù)在此也提供了強有力的支撐作用。

  ITO 玻璃的產(chǎn)品質(zhì)量檢測包括以下幾個方面:尺寸、方塊電阻、蝕刻性能、ITO 膜層耐堿性、光電性能和可靠性等。除尺寸方面的檢測僅與玻璃原片有關(guān)外,其余幾個方面都與ITO 玻璃生產(chǎn)的工藝過程有關(guān)。由于國內(nèi)大多數(shù)ITO 玻璃生產(chǎn)企業(yè)自己不生產(chǎn)玻璃原片,所以與生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)的ITO 玻璃產(chǎn)品質(zhì)量參數(shù)就是:方塊電阻、蝕刻性能、ITO 膜層耐堿性、光電性能和可靠性等。以上幾個參數(shù)是由ITO 玻璃生產(chǎn)的工藝過程所確定,同時各個參數(shù)之間也存在必然的關(guān)聯(lián)?梢哉f,這幾個參數(shù)中的每一個,都可以是其余參數(shù)為變量的函數(shù)。事實上,在生產(chǎn)線的技術(shù)條件穩(wěn)定,靶材選擇固定的條件下,檢測以上幾個參數(shù)的任意一個,其結(jié)果都有代表性的意義。所以,我們選取方塊電阻作為經(jīng)常性檢測的參數(shù)。因為對方塊電阻的檢測操作最簡便,檢測成本最低,并且瞬間就可以得到檢測結(jié)果。

2、薄膜電阻的測量原理

  薄膜的膜層電阻通常以方塊電阻(或面電阻、薄層電阻)來表示。按照電阻定律:

R = ρ × L/S (1)

  式中R 代表樣品電阻,ρ 代表樣品電阻率,L代表電流方向上的樣品長度,S 代表樣品垂直于電流方向上的截面積。可以得出膜層電阻的測量原理如下:如圖1所示,G 表示玻璃原片;ITO 表示被濺射在玻璃原片上的氧化銦錫膜層;D 表示膜層的厚度;I 表示平行于玻璃原片表面而流經(jīng)膜層的電流;L1 表示在電流方向上被測膜層的長度;L2 表示垂直于電流方向上被測膜層的長度。根據(jù)式(1),則膜層電阻R 為:

R = ρ×L1/(L2×D) (2)

  式中ρ 為膜層材料的電阻率。當(dāng)(2) 式中L1= L2 時,定義這時的膜層電阻R 為膜層的方塊電阻R□:

R□ = ρ /D(單位:Ω/□) (3)

  它表示膜層的方塊電阻值僅與膜層材料本身和膜層的厚度有關(guān),而與膜層的表面積大小無關(guān)。這樣,任意面積的膜層電阻R 的計算,由式(2)和式(3)得出:

R =R□(L1/L2) (單位Ω) (4)

膜層電阻方塊電阻的測量

圖1 膜層電阻圖2 方塊電阻的測量

  目前在實際的測量中,通常測量的是膜層的方塊電阻。在線檢測的儀器基本上采用“直排四探針”方法對膜層的方塊電阻進行測量。原理如圖2 所示。圖中1、2、3、4 表示四根探針;S 表示探針間距;I 表示從探針1 流入、從探針4 流出的電流(單位:mA);△V 表示探針2、3 間的電位差(單位:mV)。

  此時,膜層的方塊電阻R□可表示為:

R□= 4.53×△V/I(單位:Ω/□) (5)

  由上式可見,只要在測量時給樣品輸入適當(dāng)?shù)碾娏鱅,并測出相應(yīng)的電位差△V,即可得出膜層的方塊電阻值。

3、問題的提出

  實際上,在ITO 玻璃的生產(chǎn)過程中,檢測最多的參數(shù)是ITO 玻璃的方塊電阻。根據(jù)在不同崗位的檢測需要,生產(chǎn)企業(yè)分別使用手提式和臺式這兩種方塊電阻測儀。而手提式方塊電阻測試儀相對使用較多。

  手提式方塊電阻測試儀的特點如下:

  (1) 可手持儀器進行測量,操作簡單、移動方便靈活。

  (2) 可采用電池供電,對測量過程的干擾因素較少。

  但存在的問題如下:

  (1) 采用電池供電時,儀器電源電壓會出現(xiàn)從高到低變化。為保證儀器的正常工作,目前儀器上采用超前低電壓報警的做法。由于“超前”較多,所以不能使電池得到充分的利用。因此提高了使用成本,增加更換電池的次數(shù)又降低生產(chǎn)效率。還造成多余電池的浪費,不利于環(huán)保。

  (2) 由于是手持儀器和探頭進行操作,探頭的四根探針不容易同時與被測樣品接觸良好,進而影響測量的可靠。目前儀器采用完全不對探針的接觸狀態(tài)進行檢測,或僅對探頭的其中部分探針進行檢測的方法進行監(jiān)測,漏測率至少還有50%。對檢測結(jié)果的確定性仍有較大的風(fēng)險。

  (3) 被測樣品存在著在測量時被電流擊穿(燒壞)的可能性,使樣品遭受損壞。目前的儀器在電流輸出回路上多數(shù)采用穩(wěn)流(而非恒流)的措施,即依靠反饋回路或運算放大電路,當(dāng)被測樣品接入回路后,使回路電流穩(wěn)定到預(yù)先設(shè)置的電流值。而當(dāng)探頭未與樣品接觸時,探頭的1、4探針之間存在一定的電壓,這個電壓可能是幾伏甚至幾十伏。這就使當(dāng)探頭與樣品接觸(或探頭離開樣品)的瞬間,在接觸點存在“打火”的可能,導(dǎo)致對膜層的損壞。

  (4) 當(dāng)前主要的ITO 玻璃產(chǎn)品的方塊電阻范圍是10~200 Ω/□。如果生產(chǎn)線的不穩(wěn)定,或者人為的特殊調(diào)整,以及在科學(xué)實驗中制造更薄或更厚的ITO 薄膜和其它導(dǎo)電薄膜的需要,均有可能使薄膜的方塊電阻達到1×10- 4~1×104 Ω/□。目前儀器采用手動更換測量量程,然后繼續(xù)測試的做法,自然會給使用帶來一定的不便。