MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)及金剛石膜材料在微波電真空器件中的應(yīng)用

2014-11-08 唐偉忠 北京科技大學(xué)新材料技術(shù)研究院

  金剛石膜是一種集眾多優(yōu)異性能于一身的新材料,尤其是其熱導(dǎo)率高、絕緣性能好以及微波介電損耗低等特點,使金剛石膜在微波電真空器件領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景。目前,以微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)方法制備高品質(zhì)金剛石膜的技術(shù)已趨向成熟。本文將針對微波電真空器件這一應(yīng)用背景,簡要介紹國內(nèi)外高品質(zhì)金剛石膜MPCVD沉積技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,進而對金剛石膜材料應(yīng)用于微波電真空器件領(lǐng)域的一些典型實例進行簡單的介紹。

  金剛石具有一系列獨特的性質(zhì),包括極高的熱導(dǎo)率、極佳的介電強度和很低的介電損耗等。正是出于這一原因,真空技術(shù)網(wǎng)(http://www.13house.cn/)認為金剛石在微波電真空器件領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景。

  在最近的十余年里,以微波等離子體化學(xué)氣相沉積(microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)方法為代表的金剛石膜沉積技術(shù)取得了長足的發(fā)展。應(yīng)用MPCVD技術(shù),目前人們已可以制備尺寸較大、品質(zhì)很高的金剛石膜材料。在此基礎(chǔ)之上,金剛石膜作為一種結(jié)合了眾多優(yōu)異性能的實用材料在微波電真空器件領(lǐng)域中的應(yīng)用已經(jīng)開始嶄露頭角。

  本文將首先簡述MPCVD方法沉積金剛石膜的原理,進而介紹國內(nèi)外MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀以及MPCVD方法在制備高品質(zhì)金剛石膜材料方面的應(yīng)用情況。最后,我們將有選擇地對金剛石膜材料應(yīng)用于微波電真空器件領(lǐng)域的一些典型實例進行介紹。

1、MPCVD方法金剛石膜沉積技術(shù)

  在各種可用于金剛石膜的沉積方法之中,MPCVD方法是制備高品質(zhì)金剛石膜的首選方法。圖1是利用MPCVD方法制備金剛石膜過程的示意圖。其中,微波能量在被輸入到MPCVD裝置中后,將使處于低壓下的氣體擊穿而形成等離子體。在金剛石膜沉積過程中,一般以氫氣為主、但加入少量含碳氣體(如約2%的甲烷)的混合氣體作為工作氣體。等離子體會使氣體受到激發(fā),它產(chǎn)生的各種活性基團在擴散到襯底表面后沉積出金剛石膜。MPCVD方法沉積的金剛石膜的品質(zhì)較高,但金剛石膜的沉積速率相對較低。而解決這一問題的方法就在于顯著提高MPCVD金剛石膜沉積裝置可輸入的微波功率。因此,發(fā)展新型MPCVD裝置和借此提高金剛石膜的沉積速率,一直是MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)研究的重點。

MPCVD方法中金剛石膜的沉積環(huán)境

圖1 MPCVD方法中金剛石膜的沉積環(huán)境

2、國際上MPCVD金剛石膜沉積裝置的發(fā)展現(xiàn)狀

  表1羅列了國際上有代表性的美、德、日、法、俄等國有公開資料報道的MPCVD金剛石膜沉積裝置的基本情況。

表1 國外典型MPCVD金剛石膜沉積裝置的類型與參數(shù)

國外典型MPCVD金剛石膜沉積裝置的類型與參數(shù)

  從表1可以看出,MPCVD金剛石膜沉積裝置可被分為頻率為2.45和915MHz的兩大類,而其類型則包括了石英鐘罩式、圓柱諧振腔式、環(huán)形天線式以及橢球諧振腔式等四種。不同MPCVD裝置的主要差別之一是其允許輸入的微波功率高低。2.45GHz頻率的石英鐘罩式MPCVD裝置允許輸入的微波功率一般不超過3kW,圓柱諧振腔式裝置的輸入功率一般不超過5kW,環(huán)形天線式裝置允許輸入的微波功率較高,可達6~8kW,而橢球諧振腔式裝置由于使用的石英鐘罩較大,因而其可輸入的微波功率也較高,達到約6kW。2.45GHz頻率的MPCVD裝置可沉積的金剛石膜的尺寸有一定的限度,一般不超過3英寸。這是因為,各種MPCVD 裝置均屬于諧振腔式的裝置,其可沉積的金剛石膜的尺寸與所用微波的半波長成正比。

  915MHz頻率的MPCVD裝置可以沉積較大尺寸的金剛石膜,因為相應(yīng)的微波波長較長。與此同時,915 MHz頻率的MPCVD 裝置的功率也較高,通常處于30~75kW 的范圍內(nèi)。

3、我國MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀

  在我國,MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)雖一直得到人們的關(guān)注,但其發(fā)展卻相對滯后。近年來,北京科技大學(xué)、武漢工程大學(xué)等單位分別在發(fā)展高功率MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)方面取得了顯著進展。圖2(a)是北京科技大學(xué)近年來研制的一種具有穹頂式諧振腔結(jié)構(gòu)的MPCVD裝置的示意圖。

  這一裝置較好地解決了高功率、石英窗的保護以及真空密封等難點,其微波輸入功率可達10kW。圖2(b)顯示的是采用新型MPCVD裝置所沉積的直徑50mm的金剛石膜,而圖2(c)則是此金剛石膜的Raman光譜圖。由圖2(b),(c)可以看出,采用新裝置所沉積的金剛石膜具有很高的品質(zhì),這一點可由金剛石膜具有很好的透光性以及金剛石膜Raman光譜中金剛石相Raman譜線2.3cm-1的半峰寬看出來。

  除了自行研制MPCVD金剛石膜沉積裝置外,國內(nèi)的一些研究單位也從國外陸續(xù)購置了MPCVD裝置。吉林大學(xué)使用日本Seki公司產(chǎn)的ASTeX5250型5kW 圓柱諧振腔式MPCVD裝置研究了光學(xué)級金剛石膜的沉積工藝和單晶金剛石膜的同質(zhì)外延;天津理工大學(xué)利用日本Seki公司的AX6350型6kW MPCVD裝置開展了金剛石膜聲表面波器件的研究;中電集團12所利用Lambda公司的DiamoTek700型5kW 石英鐘罩式MPCVD裝置,開展了微波器件用高品質(zhì)金剛石膜的制備技術(shù)研究;西安交通大學(xué)計劃采用日本Seki公司的AX6500型8kW MPCVD裝置等開展金剛石單晶電子器件的研究工作。

MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)及金剛石膜材料在微波電真空器件中的應(yīng)用

圖2 穹頂形諧振腔式MPCVD金剛石膜沉積裝置的結(jié)構(gòu)圖,其所制備的金剛石膜以及后者的Raman光譜圖

6、結(jié)束語

  目前,MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)已經(jīng)有了長足的發(fā)展,已經(jīng)可以為科學(xué)研究和器件研制提供較高品質(zhì)的金剛石膜材料。這使得在微波電真空器件領(lǐng)域中應(yīng)用金剛石這種性能優(yōu)異的新材料,探索和制造具有新結(jié)構(gòu)、新功能的微波器件供了可能性。

  目前,人們正在探索將金剛石膜材料應(yīng)用于諸如高功率回旋管和短毫米波行波管輸出窗、行波管螺旋線與慢波結(jié)構(gòu)、場致發(fā)射與二次電子發(fā)射器件等一系列微波電真空器件的關(guān)鍵部件。在不遠的將來,隨著人類探索范圍的不斷擴大,金剛石膜這種具有多種優(yōu)異性能的新材料在各高技術(shù)領(lǐng)域?qū)粩嗟匕l(fā)現(xiàn)新的用途。