高品質(zhì)金剛石厚膜的微波等離子體CVD沉積技術(shù)
高品質(zhì)金剛石厚膜的微波等離子體CVD 沉積技術(shù)
唐偉忠 于盛旺 范朋偉 李義鋒 蘇靜杰 劉艷青
(北京科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 北京 100083)
摘要 金剛石膜擁有許多優(yōu)異的性能。在制備金剛石厚膜的各種方法之中,高功率微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)法因其產(chǎn)生的等離子體密度高,同時金剛石膜沉積過程的可控性和潔凈性好,因而一直是制備高品質(zhì)金剛石厚膜的首選方法。
在世界范圍內(nèi),美、英、德、日、法等先進國家均已掌握了以高功率MPCVD 法沉積高品質(zhì)金剛石膜的技術(shù)。但在中國國內(nèi),高功率MPCVD 裝備落后一直是困擾我國高品質(zhì)金剛石膜制備技術(shù)發(fā)展的主要障礙。
本文將首先綜述國際上高功率MPCVD 裝備和高品質(zhì)金剛石膜制備技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,包括各種高功率MPCVD 裝置的特點。其后,將回顧中國金剛石膜MPCVD 技術(shù)的發(fā)展歷史,并重點介紹北京科技大學(xué)近年來在發(fā)展高功率MPCVD 裝備和高品質(zhì)金剛石厚膜制備技術(shù)方面取得的新進展。
關(guān)鍵詞 MPCVD 金剛石膜沉積技術(shù) 高功率 高品質(zhì)