摘　要：采用基片加熱和后期熱處理的手段使ITO薄膜結(jié)晶和調(diào)整其組織結(jié)構(gòu)來(lái)降低電阻的方法,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于在玻璃等基體上制備ITO薄膜.但是隨著不耐高溫的柔性基體的廣泛使用,ITO薄膜低溫生長(zhǎng)已經(jīng)成為一個(gè)重要的研究課題.為此,本研究探討室溫等離子體輔助條件下,ITO薄膜沉積生長(zhǎng)過(guò)程,以期為上述問(wèn)題的解決提供理論依據(jù).研究結(jié)果表明:等離子輔助可以有效控制ITO薄膜的結(jié)晶程度和晶粒尺寸以及晶界結(jié)構(gòu),在優(yōu)化條件下,在PET基體上制備出電阻率為1.1×10-3Ω·cm的ITO薄膜.

　　關(guān)鍵詞：磁控濺射;等離子輔助;ITO薄膜

　　分類(lèi)號(hào)：TG174.444　文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A

　　文章編號(hào)：1672-7126(2008)增刊-074-05

Low Temperature ITO Film Growth by Plasma Assisted Deposition

Zhang Tianwei　 Yang Huisheng 　 Luo Qinghong　 Wang Yanbin　 Lu Yonghao