靶電流對(duì)電弧離子鍍TiAlN膜層組織及成分的影響

2020-04-18 真空技術(shù)網(wǎng) 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)

  摘 要:采用高純鋁、鈦兩個(gè)靶材,分別在純鈦TA2和鈦合金TC11基材上沉積制備了TiAlN膜層.用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察了膜層的形貌、用能譜儀(EDS)分析了膜層的成分.結(jié)果表明:在不同基材上沉積的膜層表面形貌存在差異;兩種工藝在不同的基材上沉積的膜層中N、Al和Ti元素呈梯度分布,可明顯的觀察到界面處存在這三種元素的互擴(kuò)散,使膜層與基體間形成冶金結(jié)合.

  關(guān)鍵詞:電弧離子鍍;TiAlN;組織;成分

  分類(lèi)號(hào):TG146.2 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A

  文章編號(hào):1672-7126(2008)增刊-064-04

Influence of Target Current on Microstructures and Stoichiometries of TiAlN Coating Deposited by Arc Ion Plating

Wang Shaopeng  Pan Xiaolong  Li Zhengxian  Wang Baoyun  Yan Peng  Ji Shouchang