摘　要：采用WO3和ZrO2復(fù)合陶瓷靶材,以射頻磁控濺射法在石英基片上沉積制備了ZrW2O8薄膜.利用X射線衍射儀(XRD)、表面粗糙輪廓儀和掃描電子顯微鏡(SEM),研究了不同工藝參數(shù)和不同退火溫度對ZrW20s薄膜的相組成、沉積速率和表面形貌的影響.采用高溫X射線衍射和Powder X軟件研究薄膜的負(fù)熱膨脹特性.實驗結(jié)果表明:隨著濺射功率的增加,薄膜沉積速率增加;而隨著工作氣壓的增加,薄膜沉積速率先增加后減小;磁控濺射沉積制備的ZrW20s薄膜為非晶態(tài),表面平滑、致密,隨著熱處理溫度的升高,薄膜開始結(jié)晶且膜層顆粒增大;在740℃熱處理3 n血后得到膜層顆粒呈短棒狀的三方相ZrW2O8薄膜,在1200℃密閉條件下熱處理3 min淬火后得到膜層顆粒呈球狀的立方相ZrW2O8薄膜,且具有良好的負(fù)熱膨脹特性.

　　關(guān)鍵詞：鎢酸鋯;薄膜;磁控濺射;負(fù)熱膨脹

　　分類號：O484.5;TB43　文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A

　　文章編號：1672-7126(2008)增刊-042-05

Deposition Conditions and Growth of ZrW2O8

Liu Hongfei　 Cheng Xiaonong　 Zhang Zhiping　 Fu Tingbo