利用KrF準分子激光對非晶硅薄膜的表層進行了晶化。研究了激光能量密度和照射脈沖數(shù)對薄膜結晶度的影響，并對晶化后薄膜的形貌和結構進行了表征。結果表明：該非晶硅薄膜晶化閾值約為110mJ/cm²，且不受照射脈沖數(shù)的影響；激光能量密度是影響薄膜結晶度的首要因素，但在較低的能量密度時，增加照射脈沖數(shù)也會顯著的提高薄膜結晶度；結構及形貌表征發(fā)現(xiàn)，薄膜晶化層厚度約為400~500nm，平均晶粒尺寸為30~50nm。

　　準分子激光晶化（ELC）是一種將非晶硅薄膜轉換為多晶硅薄膜的有效方法，目前在薄膜晶體管（TFT）和薄膜太陽能電池領域有著廣泛的研究和應用。通常準分子激光工作在紫外光區(qū)，非晶硅薄膜對其光子的吸收僅限于表層的幾納米深度；并且由于激光脈寬較窄，非晶硅的融化和結晶過程在納秒級的短時間內完成，整個晶化過程對于薄膜的襯底幾乎沒有影響。因此，可以采用廉價襯底，如玻璃，不銹鋼等，這對于制造低成本、大面積的高效太陽能電池來說是非常關鍵的。然而，目前的研究主要集中于將非晶硅薄膜整體晶化，至今很少有文獻報道利用該技術來進行薄膜的表層晶化，從而制備微晶硅/ 非晶硅（μc-Si/a-Si）復合薄膜。眾所周知，非晶硅薄膜在接受陽光照射時存在光致亞穩(wěn)效應（SWE），并且對紅光及紅外波長吸收不足，這些在很大程度上影響了薄膜電池的轉換效率及穩(wěn)定性。而微晶硅薄膜對紅外吸收系數(shù)高、穩(wěn)定性好，可以大大彌補非晶硅的不足。因此，這種復合薄膜對于提升薄膜電池的轉換效率及穩(wěn)定性具有巨大的潛力。然而，由于非晶與微晶結構上的差異，使得復合薄膜沉積工藝復雜、制備困難。因此，將ELC技術應用于此，使得復合薄膜制備工藝簡單快捷，有著很好的研究和應用前景。

　　本文采用KrF（波長為248nm）準分子激光對非晶硅薄膜進行晶化處理，制備了μc-Si/a-Si復合薄膜。主要研究了激光能量密度和輻照脈沖數(shù)對薄膜結晶度的影響，并且對晶化行為和機制進行了討論。

1、實驗方法

　　待晶化的非晶硅薄膜通過電子回旋共振-等離子體增強的化學氣相沉積（ECR-PECVD）方法制得，采用普通玻璃作為襯底，反應氣體為Ar和SiH₄。沉積工藝參數(shù)為：沉積室本底真空7×10^-3Pa，SiH₄流量10 sccm，Ar 流量70sccm，沉積溫度~300℃，工作壓力3.0Pa，微波功率600 W，沉積時間為6h。沉積得到的薄膜厚度約為1.7μm。激光晶化采用Lambda Physik LPX 305iKrF (λ = 248 nm)準分子激光作為輻照源，激光脈寬25 ns，光斑尺寸為30×10mm。實驗在室溫（25℃）空氣條件下進行，采用Ar作為保護氣體，激光能量密度為50~300mJ/cm2。采用JEOL JSM-6301F 場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE- SEM） 來進行薄膜形貌觀察。利用JYLabram HR 800 激光拉曼光譜儀來進行結晶度的研究，工作氣體He- Ne，激光波長632.8nm。采用Tecnai G220透射電子顯微鏡（TEM）對薄膜進行形貌觀察及電子衍射分析。

2、結果分析與討論

2.1、激光能量密度對薄膜結晶度的影響

　　激光能量密度直接影響薄膜的晶化效果。圖1給出了在不同激光能量密度輻照下薄膜的Raman散射譜。從圖中可以看出，在激光能量密度為50mJ/cm² 和80 mJ/cm² 時，Raman譜顯示為480cm-1處的非晶包，表明薄膜仍處于非晶狀態(tài)。當激光能量密度為110 mJ/cm²時，Raman 譜首次出現(xiàn)了520 cm^-1處的尖峰，表明薄膜晶化已經開始，晶化閾值110mJ/cm² 在附近，這與真空技術網以往的文章上的結果一致。而且，隨著激光能量密度升高，520 cm^-1 處的晶體峰越來越強，表明薄膜的結晶度逐漸提高。

圖1 不同激光能量密度條件下薄膜的Raman散射譜

　　為了進一步分析薄膜晶化層中微晶相的比例，我們對Raman 散射譜進行分峰擬合，采用公式Xc=(I520+I510)/(I520+I510+I480)來計算薄膜的結晶度。其中，Xc代表薄膜中微晶相所占的比例，I520、I510、I480分別指對應于520cm^{- 1}，510cm^-1和480 cm^{- 1}處進行Lorentzian分解后，三個波峰的相對積分強度。通過計算得到薄膜結晶度對激光能量密度的曲線，如圖2所示。從圖中可以看出，結晶度隨著激光能量密度的增加呈現(xiàn)出先緩慢、再迅速、最后緩慢增加的變化趨勢。這是由于：當激光能量密度高于晶化閾值而低于150 mJ/cm² 時，晶化過程剛剛開始，薄膜表面并未出現(xiàn)熔化現(xiàn)象，非晶硅是以固相結晶機制進行晶化，因而結晶度增加緩慢；當激光能量密度超過150 mJ/cm²，即非晶硅薄膜的表面熔化閾值時，由于薄膜表面熔化而使結晶度急劇增加，并且隨能量密度升高，薄膜表面熔化的停留時間增加， 熔化的比例增加，因而結晶度迅速增加； 當激光能量密度高于250 mJ/cm²時， 由于薄膜表面晶化程度已經處于較高水平，增長的空間不大，因而結晶度增加緩慢。

圖2 結晶度與激光能量密度的關系