脈沖輝光PECVD制備DLC薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究

2020-04-18 真空技術(shù)網(wǎng) 真空技術(shù)網(wǎng)整理

  摘 要:類金剛石碳膜以其優(yōu)異的性能,諸如高電阻率、高硬度、低摩擦系數(shù)、良好的光學特性等顯示出良好的應(yīng)用前景,越來越受到人們的關(guān)注.本文利用脈沖輝光PECVD在不同的脈沖電壓下成功地制備了DIE薄膜.采用拉曼光譜儀、原子力顯微鏡、納米壓痕儀等設(shè)備對薄膜的相結(jié)構(gòu)、表面形貌和力學性能進行了綜合分析.

  關(guān)鍵詞:脈沖放電;等離子體輔助化學氣相沉積法;類金剛石碳膜;Raman光譜;表面形貌

  分類號:O484.1 文獻標識碼:A

  文章編號:1672-7126(2008)增刊-033-05

Microstructures and Properties of Diamond-Like Carbon Films Grown by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Gou Wei  Li Jianfeng  Chu Xinpu  Zhang Liping  Li Guoqing