本文采用真空蒸發(fā)法，在玻璃襯底上制備了稀土元素Dy 摻雜的ZnTe 薄膜。利用X 射線衍射儀、原子力顯微鏡、紫外- 可見(jiàn)分光光度計(jì)、XPS 對(duì)薄膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌、光學(xué)特性、元素成分等進(jìn)行了測(cè)試。XRD 測(cè)試結(jié)果表明，薄膜的結(jié)構(gòu)均為立方晶系閃鋅礦結(jié)構(gòu)，擇優(yōu)取向?yàn)?111)晶面，Dy 摻雜會(huì)使(111)峰強(qiáng)減弱;透射光譜表明Dy 摻雜會(huì)使薄膜的光學(xué)帶隙減小;XPS 分析表明，薄膜的主要成分為ZnTe，摻雜后Zn 和Te 的特征峰均向高能端發(fā)生移動(dòng)。

　　全球的能源危機(jī)和環(huán)境污染問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重，高效且無(wú)污染的太陽(yáng)能越來(lái)越受到人們的重視。CdTe 是直接帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度約為1.45 eV，有著太陽(yáng)能電池需要的最優(yōu)能隙，因此CdTe 太陽(yáng)能電池獲得了迅速的發(fā)展。但是，CdTe 存在自補(bǔ)償效應(yīng)，難以實(shí)現(xiàn)重?fù)诫s，所以獲得穩(wěn)定的歐姆接觸是CdTe 太陽(yáng)電池制備的關(guān)鍵技術(shù)之一。研究發(fā)現(xiàn)在P-CdTe 和金屬背電極間沉積一層背接觸層，由背接觸層與金屬之間的量子隧道輸運(yùn)機(jī)制實(shí)現(xiàn)低電阻接觸，使CdTe 費(fèi)米能級(jí)與金屬背電極匹配，可以獲得良好的歐姆接觸。真空技術(shù)網(wǎng)(http://www.13house.cn/)經(jīng)過(guò)調(diào)研認(rèn)為理論與實(shí)踐都表明，ZnTe 與CdTe 價(jià)帶偏移小于0.1 eV，這么小的價(jià)帶偏移可使ZnTe 與CdTe 的接觸電阻很小或零勢(shì)壘， 載流子很容易穿過(guò)。

　　ZnTe 可以實(shí)現(xiàn)重?fù)诫s，非常適合做CdTe 太陽(yáng)電池背接觸層，成為一種很有潛力的過(guò)渡層材料。自從Meyers 提出用重?fù)诫sP-ZnTe 作為CdTe 吸收層和金屬背電極間的過(guò)渡層以來(lái)，很多研究者用不同的制備方法制備了ZnTe 薄膜并進(jìn)行了研究，Peter Meyers 首先在CdTe 吸收層和金屬背電極間使用重?fù)诫s的ZnTe 作為過(guò)渡層，并且利用熱蒸發(fā)ZnTe：Cu 創(chuàng)造了當(dāng)時(shí)轉(zhuǎn)換效率11.2%的薄膜電池的最高紀(jì)錄，T.A.G 等人用濺射法制備ZnTe：Cu 薄膜，Born 等人研究了用濺射法制備Cu 和N 摻雜的ZnTe 薄膜，使之成為p型半導(dǎo)體，A. Ichiba 等人研究用分子束外延的方法制備Al 和N 摻雜ZnTe 薄膜，X. J. Hou 研究用MBE的方法對(duì)ZnTe 進(jìn)行Cr 的摻雜，邵軍用Ti 對(duì)ZnTe進(jìn)行摻雜研究發(fā)光，四川大學(xué)馮良桓等人研究了共蒸發(fā)制備的摻Cu 的ZnTe 多晶薄膜，并且發(fā)現(xiàn)隨著溫度的升高，薄膜呈反常電導(dǎo)率溫度關(guān)系，進(jìn)一步發(fā)展了CdTe 太陽(yáng)電池的背接觸技術(shù)。有研究表明，稀土摻雜可改變ZnTe 薄膜的晶格常數(shù)、能帶結(jié)構(gòu)、電子態(tài)密度及光電特性等。本文利用真空蒸發(fā)雙源法制備了稀土元素Dy 摻雜ZnTe 薄膜，發(fā)現(xiàn)摻雜并沒(méi)有改變薄膜的物相結(jié)構(gòu)，但對(duì)薄膜的結(jié)晶、形貌及光學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生了明顯影響，為CdTe 太陽(yáng)電池背接觸層的進(jìn)一步發(fā)展提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)。

1、實(shí)驗(yàn)

1.1、薄膜的制備

　　將純的ZnTe 粉末放入第一蒸發(fā)源，純的稀土Dy 放入第二蒸發(fā)源，再將清洗干凈烘干的玻璃襯底放入蒸發(fā)室。玻璃襯底溫度為室溫，待蒸發(fā)室抽真空度達(dá)到5.0×10^-4 Pa 以上時(shí)，調(diào)節(jié)襯底的轉(zhuǎn)速為180 r/min，然后控制第一蒸發(fā)源的蒸發(fā)電流為45 A，通過(guò)改變第二蒸發(fā)源的蒸發(fā)電流制備不同摻雜濃度的Dy-ZnTe 薄膜，第二蒸發(fā)源的蒸發(fā)電流分別控制為50 A、60 A、70 A。

　　將制備好的薄膜置于自動(dòng)控溫?cái)U(kuò)散爐中，并在N2 氣氛中進(jìn)行熱處理，熱處理溫度為500 ℃，處理時(shí)間為10 min。

1.2、薄膜的性能測(cè)試

　　利用荷蘭Philip 公司生產(chǎn)的PW-1830/40 型X 射線衍射儀對(duì)薄膜樣品的物相和結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試，輻射源為CuKα 線，波長(zhǎng)為0.15418 nm;利用安捷倫科技有限公司生產(chǎn)的Agilent Technogies 5500型原子力顯微鏡對(duì)薄膜的表面形貌進(jìn)行了測(cè)試;利用美國(guó)PerkinElmer 公司生產(chǎn)的Lambda-750s紫外- 可見(jiàn)分光光度計(jì)對(duì)樣品的光學(xué)性能進(jìn)行測(cè)試; 利用英國(guó)ULVAC-PHI.INC 生產(chǎn)的KratosAmicus 型X 射線光電子能譜儀對(duì)薄膜的化學(xué)成分進(jìn)行研究，分析室真空度為2×10^-7 Pa，通過(guò)樣品的全譜圖、各元素的特征峰進(jìn)行精細(xì)掃描，分析元素成分的變化。

2、結(jié)果與討論

2.1、薄膜物相結(jié)構(gòu)分析

　　圖1 為不同摻雜濃度的ZnTe 薄膜XRD 圖譜，樣品的熱處理溫度均為T(mén)=500 ℃，Dy 摻雜ZnTe 與純ZnTe 的物相結(jié)構(gòu)均為立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)，并未出現(xiàn)六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，薄膜中也未出現(xiàn)其他物相，說(shuō)明薄膜中的鏑可能以替位原子形式存在。所有薄膜的三強(qiáng)峰仍對(duì)應(yīng)(111)、(220)、(311)晶面，擇優(yōu)取向均為(111)晶面。但是隨著摻雜量增加，(111)、(311) 峰的峰強(qiáng)逐漸減弱，(220) 峰的峰強(qiáng)有增強(qiáng)的趨勢(shì)，并在衍射角為27.48°處還出現(xiàn)強(qiáng)度較弱的Te(011)的衍射峰，隨著摻雜濃度的增加，單質(zhì)Te 的衍射峰增強(qiáng)，Dy 摻雜抑制了薄膜的結(jié)晶。

圖1 純ZnTe 和Dy 摻雜ZnTe 薄膜的XRD 圖譜

　　根據(jù)謝樂(lè)公式和布拉格公式：

　　式中，D 為晶粒尺寸，K=0.89 為常數(shù)，λ 為x 射線波長(zhǎng)，B 為半高寬，θ 為衍射角，d 為晶面間距，n為衍射級(jí)數(shù)。分別計(jì)算了樣品晶粒尺寸、晶格常數(shù)和晶胞體積，如表1 所示。由表中數(shù)據(jù)可知摻雜樣品的晶粒尺寸、晶格常數(shù)、晶胞體積比純ZnTe 樣品的尺寸要小。但隨著摻雜量的增大，樣品的晶粒尺寸等逐漸增大�？赡苡捎趽诫sDy3+ 的離子半徑大于Zn2+ 的離子半徑。Dy3+ 以替位的形式取代Zn2+。由于Zn 離子與Dy 離子大小不同，摻雜使晶格發(fā)生畸變，引起ZnTe 薄膜中額外殘余應(yīng)力的產(chǎn)生，使晶格常數(shù)變大。

表1 Dy-ZnTe 薄膜的晶粒尺寸、晶格常數(shù)和晶胞體積

3、結(jié)論

　　(1)XRD 測(cè)試結(jié)果表明所有薄膜的三強(qiáng)峰仍對(duì)應(yīng)(111)、(220)、(311)晶面，擇優(yōu)取向均為(111)晶面;隨著摻雜量增加(111)、(311)峰的峰強(qiáng)逐漸減弱，(220)峰的峰強(qiáng)有增強(qiáng)的趨勢(shì)，Dy摻雜抑制了薄膜的結(jié)晶。

　　(2)XRD 和原子力顯微鏡表面形貌測(cè)試都表明，摻雜后薄膜的晶粒尺寸減小。

　　(3) 光透射圖譜表明純ZnTe 薄膜的光學(xué)帶隙最大，隨著摻雜濃度的增加光學(xué)帶隙逐漸減小。

　　(4)XPS 圖譜分析表明薄膜的主要成分為ZnTe，摻雜后Zn 和Te 的特征峰都向高能端發(fā)生移動(dòng)。