冷壁法制備大發(fā)射電流密度復(fù)合陰極及其性能研究

陳心全 王琦龍 崔云康 狄云松 張曉兵

(東南大學電子科學與工程學院 南京 210096)

　　陰極作為電子發(fā)射源，被喻為真空電子器件的“心臟”。而碳納米管(CNT)又是場致發(fā)射陰極的首選材料，其在電子、機械和化學方面具有獨特特性，有較低的逸出功，極高的縱橫比，理論上可實現(xiàn)106 A/cm2 的場致發(fā)射電流密度。

　　單根碳納米管雖然可以實現(xiàn)較大的場發(fā)射電流密度，但對于大面碳納米管的場發(fā)射，制備出同時具有穩(wěn)定的大電流密度及大電流的碳納米管場發(fā)射陰極目前仍有一定的難度。這主要是由于碳納米管陰極制的備中，碳納米管的長度、直徑和間距差別較大，分布不均勻，場發(fā)射一致性差，易造成碳納米管的局部燒毀。

　　另外，碳納米管場發(fā)射陰極的碳納米管之間的場屏蔽作用，使場增強因子大大減小，開啟場強相對較高。

　　本文采用碳納米管中摻雜氧化鈷納米顆粒得到復(fù)合場發(fā)射材料，以實現(xiàn)低開啟場強，大電流密度的場發(fā)射陰極。

　　首先，將氧化鈷納米顆粒均勻摻雜到碳納米管漿料得到混合漿料，其中氧化鈷納米顆粒與碳納米管漿料的質(zhì)量比分別為10:3,10:2,10:1 等;

　　然后，利用絲網(wǎng)印刷法制備陰極，將制備的陰極放入烘烤箱，200℃烘烤2 h;

　　最后，采用冷壁CVD 法在陰極表面進行碳納米管再生長。采用電子掃描顯微鏡(SEM)分析陰極表面形貌，并測試再生長陰極發(fā)射特性。

參考文獻：

　　(1)陳澤祥,曹貴川,張 強,等.大電流密度碳納米管場致發(fā)射陰極陣列的研制[J].強激光與粒

　　子束, 2006(12):2070-2073