采用熱絲化學(xué)氣相沉積法在不同氣壓( 1~ 8 Pa) 下沉積了p 型納米晶硅薄膜, 研究了沉積氣壓對(duì)薄膜晶化率和電輸運(yùn)性能的影響。結(jié)果表明, 薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸隨沉積氣壓升高而增大, 而當(dāng)沉積氣壓超過6 Pa 后, 薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸會(huì)減小。當(dāng)沉積氣壓由1 Pa 升高到2 Pa 時(shí), BH3 粒子迅速增多, 且吸附方式是化學(xué)吸附, 因而載流子濃度從8.9×1018 cm- 3迅速增大到6.252×1020 cm- 3。此時(shí)電導(dǎo)率從1.08 S/ cm 顯著增加到29.5 S/ cm, 而電導(dǎo)激活能則從95􀀁8 meV急劇減小至18.6 meV, 這是硼雜質(zhì)摻雜濃度和薄膜的晶化率迅速增大所致。

　　氫化納米硅( nc-Si:H) 是一種混合相材料, 其中納米尺度( 幾個(gè)納米~ 30 nm) 的硅晶粒鑲嵌在a-Si:H 網(wǎng)絡(luò)里。p 型nc-Si:H 薄膜被廣泛應(yīng)用于薄膜

　　太陽(yáng)能電池和薄膜晶體管等大面積光電器件中, 具有較高的摻雜效率, 高的電導(dǎo)率和遷移率及低的光吸收等優(yōu)點(diǎn)。nc-Si:H 薄膜的沉積方法主要有等離子化學(xué)氣相沉積(PECVD) 法和熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD) 法等。與傳統(tǒng)的PECVD 相比, 采用HWCVD 法制備p 型nc-Si􀀁H 薄膜, 沉積速率快, 氣體利用率高, 對(duì)薄膜的損傷少, 成本低。因而,需要對(duì)nc-Si􀀁H 薄膜的HWCVD 制備、結(jié)構(gòu)以及電輸運(yùn)性能進(jìn)行系統(tǒng)而深入地研究。

　　在先前對(duì)nc-Si:H 薄膜的結(jié)構(gòu)和電輸運(yùn)性能的研究工作中, 人們提出了一些理論模型, 主要有晶界(GB) 陷阱模型和異質(zhì)結(jié)量子點(diǎn)隧穿( HQD) 模型等。GB 陷阱模型表明: nc-Si:H 薄膜中的a-Si:H 網(wǎng)絡(luò)被看作是硅晶粒間的晶界區(qū), 一般為2- 4 個(gè)原子層厚, 其中存在著大量的陷阱態(tài), 這些陷阱態(tài)會(huì)俘獲載流子并形成晶界勢(shì)壘, 阻礙載流子的輸運(yùn)。根據(jù)HQD 模型, nc-Si:H 薄膜中的a-Si:H 和硅晶粒構(gòu)成異質(zhì)結(jié), a-Si􀀁H 為勢(shì)壘, 硅晶粒為勢(shì)阱, 其電輸運(yùn)機(jī)制以熱激發(fā)輔助電子隧穿為主, 輸運(yùn)過程是電子先被激發(fā)到硅晶粒量子點(diǎn)中, 然后隧穿通過晶界勢(shì)壘區(qū)。

　　本文采用HWCVD 在不同沉積氣壓下制備晶化率不同的p 型nc-Si:H 薄膜, 對(duì)相應(yīng)薄膜的電輸運(yùn)性能進(jìn)行了對(duì)比, 并結(jié)合以上兩個(gè)模型對(duì)不同沉積氣壓下薄膜的晶化率和電輸運(yùn)性能, 特別是電導(dǎo)激活能進(jìn)行了研究, 獲得了電導(dǎo)激活能僅為13.5meV 的薄膜。

結(jié)論

　　(1) 當(dāng)沉積氣壓1 Pa 升高到6 Pa 時(shí), 熱絲分解產(chǎn)生的H 原子增多, 同時(shí)產(chǎn)生的SiH3 粒子增多, 因而薄膜晶化率和平均晶粒尺寸增大; 當(dāng)沉積氣壓進(jìn)一步升高時(shí), 薄膜表面H 原子覆蓋減少, 薄膜晶化率和平均晶粒尺寸減小。

　　(2) 當(dāng)沉積氣壓從1 Pa 升高到2 Pa 時(shí), BH3 化學(xué)吸附于薄膜生長(zhǎng)表面, 因而載流子濃度迅速增大。當(dāng)沉積氣壓繼續(xù)增加到8 Pa, 雖然B2H6 分解產(chǎn)生的BH3 粒子增多, 但是多數(shù)BH3 粒子物理吸附于薄膜表面, 因而載流子濃度緩慢增大甚至減小。沉積氣壓高于2 Pa 時(shí), 硼雜質(zhì)濃度的迅速增加導(dǎo)致電離雜質(zhì)散射顯著增強(qiáng), 并主導(dǎo)了遷移率的逐漸減小。

　　(3) 當(dāng)沉積氣壓從1 Pa 升高到2 Pa 時(shí), 硼雜質(zhì)摻雜濃度迅速增大, 且薄膜的晶化率增大, 因而電導(dǎo)激活能迅速減小, 其后電導(dǎo)激活能隨沉積氣壓緩慢減小。