本文使用分子動力學方法模擬低能CH 與碳氫薄膜的相互作用, 以探討在核聚變過程中CH 的再沉積行為及對面向等離子體材料性質(zhì)變化的影響。選擇的入射能量分別為0.3, 1, 5, 10 eV。模擬結(jié)果表明隨著入射能量的增加C 原子與H 原子的吸附率增加, 且在入射能量大于CH 離解能的情況下, 同一能量下H 原子的吸附率小于C 原子的吸附率。隨著入射能量的增加, 薄膜的厚度增加, 薄膜中含有C_sp²的范圍變寬, 并且表面逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)镃_sp²表面。薄膜中的C 主要以C_sp³形式存在,其次是C_sp², 幾乎不含C_sp¹。通過統(tǒng)計薄膜中的CH_x( x 為1~ 4) 發(fā)現(xiàn)CH 占優(yōu)勢, 其次是CH₂ , 而CH₄ 的量非常少。

　　在托克馬克核聚變裝置運行期間, 作為面向等離子體材料的石墨將受到從等離子體約束區(qū)逃逸出來的H 離子和中性原子持續(xù)轟擊, 將產(chǎn)生以下效應: 1、 在第一壁的表面形成一層碳氫薄膜;2、 壁材的
刻蝕產(chǎn)物CxHy 回到等離子體約束區(qū)被離化而獲得更大的能量重新沉積在第一壁材上使碳氫薄膜得到了生長。這些效應產(chǎn)生的結(jié)果將使石墨材料的機械和熱學性質(zhì)的衰退, 并且降低等離子體的溫度以及純度從而影響等離子體的維持。因此, 研究CHx 的再沉積行為和碳氫薄膜的生長有助于全面了解等離子體與壁材料表面的相互作用, 促進核聚變裝置中壁材料的發(fā)展 。眾所周知, 在等離子體與固體
材料表面相互作用的實際過程中, 等離子體中含有各種各樣的離子和中性基團, 以致于通過實驗手段難以判斷每一種粒子在作用過程中所充當?shù)慕巧�。這使得到目前為止等離子體與壁材料的相互作用機制仍然不明朗, 阻礙了核聚變的發(fā)展。

　　分子動力學( MD) 方法是一種能克服實驗上的困難并從原子量級上模擬等離子體與固體材料相互作用的有力工具。Atsushi Ito 與Hiroaki Nakamu􀀁ra 模擬了石墨在H 及H 的同位素D( 氘) 和T( 氚) 的作用下的濺射情況。結(jié)果顯示隨入射能量的增加,由D 和T 引起的表面損傷速率高于H 引起的表面損傷速度。當濺射達到穩(wěn)定態(tài)時, C 原子的濺射率隨能量的增加而增加。他們的研究結(jié)果還表明入射粒子的類型對C 原子的濺射率沒有太大的影響。Salonen 和Nordlund 等研究了H 與非晶SiC 的相互作用。結(jié)果顯示在能量為30 eV 的條件下, 當Si 的摻雜量為10%時, Si 原子幾乎沒有發(fā)生濺射, C 原子的化學濺射量最小, 比純石墨結(jié)構(gòu)的C 原子的濺射量小1.5 倍。這表明往C 材料中摻雜適量的Si 能延長面向等離子體材料的使用壽命, 進而降低了等離子體約束區(qū)的雜質(zhì)含量。Trskelin 和Salonen 等使用分子動力學方法模擬了入射角度和入射能量對CH3 在C 表面吸附的影響。結(jié)果表明當入射角度從0度增加到67.5度!時, CH3 的吸附截面隨入射角度的增加而降低, 吸附機率隨入射能量的增加而增加。這表明粒子的入射角度對作用過程有一定的影響。

　　近年來, 對石墨材料作為壁材料的研究主要集中于對H, D 和T 粒子與石墨、摻雜了Si 的C 材料和非晶碳氫表面的相互作用以及碳氫原子團( CxHy )與非晶碳表面的相互作用的研究, 較少有關(guān)CHx 與非晶碳氫表面作用的研究。因此本文將使用分子動力學方法模擬低能CH 原子團與碳氫薄膜的相互作用, 以獲得CH 與碳氫薄膜作用時發(fā)生的反應和碳氫薄膜在CH 的作用下所發(fā)生的變化,從而進一步全面了解等離子體與材料表面相互作用機制和CH 的再沉積行為以及薄膜性質(zhì)的變化。

3、結(jié)論

　　本文使用分子動力學方法模擬了低能CH 與碳氫薄膜的相互作用, 通過分析和討論得出以下結(jié)論:

　　(1) C 原子和H 原子的吸附率隨入射能量的增加而增加, 且在同一能量下H 原子的吸附率小于C原子的吸附率;

　　(2) 隨入射能量的增加, 薄膜的厚度增加, 并且薄膜的近表面區(qū)域的C 原子的密度大于H 原子的密度;

　　(3) 當入射能量為5, 10 eV 時, 薄膜表面的C 形式主要是Csp 2。在選擇的能量下薄膜中的C 主要以Csp 3 形式存在, 其次是Csp 2;

　　(4) 薄膜中含有的CHx ( x 為1~ 4) 為CH 占優(yōu)勢。