La摻雜對CdS薄膜性能的影響
采用化學水浴法在玻璃襯底上制備了純CdS薄膜和稀土La摻雜的CdS薄膜,在氮氣氣氛中對薄膜進行熱處理。結果表明,未摻雜樣品為立方閃鋅礦CdS,La摻雜后衍射強峰仍為立方閃鋅礦(111)晶向,但出現(xiàn)了微弱的六方纖鋅礦結構,而且增強了短波光和近紅外光的透過率,禁帶寬度明顯減小,同時La的摻入促進S元素百分含量的增加,使Cd/S更接近化學計量比。
關鍵詞： CdS薄膜;稀土La摻雜;化學水浴法;光學特性
基金項目: 內蒙古高校科技項目(批準號:NJ09006)資助課題
CdS 是II- IV 族直接帶隙化合物半導體材料, 禁帶寬度約為2. 42 eV。CdS 具有優(yōu)良的光電性能,廣泛用于傳感器、光探測器、激光材料、光波導器件和非線性集成光學器件等領域, 同時CdS 具有很高的透光率和較大的電導率, 常被用于CdS/ CdTe 和CdS/CuInSe2 太陽電池的窗口層和緩沖層。目前,CdS 薄膜的制備方法很多, 如化學水浴法、化學氣相沉積法、溶膠-凝膠法、真空蒸發(fā)法、濺射法等, 由于化學水浴法設備簡單、條件容易控制, 且其制備方便、廉價和適合大規(guī)模生產(chǎn)等特點, 成為制備薄膜及其硫族金屬化合物的首選方法。
目前, 實驗中發(fā)現(xiàn)厚度小于100 nm 的CdS 薄膜可以增強短波光的透過率, 但太薄的CdS 會出現(xiàn)針狀微孔導致吸收層與導電玻璃直接接觸, 從而影響電池的穩(wěn)定性。稀土元素具有特異的電子結構、豐富的電子能級, 有研究表明, 摻雜適量的稀土元素可以改善半導體材料的性能 , 因此希望通過摻雜稀土元素使CdS 薄膜厚度適中而不影響其透過率。采用稀土硝酸鹽作為摻雜源, 使用適當?shù)幕瘜W配比, 通過化學水浴法制備La 摻雜的CdS 薄膜, 并對其進行X 射線衍射、X 射線光電子能譜和紫外可見光吸收測試, 分析摻入稀土元素La 對CdS 薄膜光學及其它性能的影響。
采用化學水浴法在玻璃襯底上制備摻La 的CdS 薄膜, 經(jīng)350 度 , 40 min 熱處理, 薄膜衍射強峰仍為立方閃鋅礦( 111) 晶向, 摻La 后并沒有改變其物相結構和擇優(yōu)取向, 但衍射峰強度降低且出現(xiàn)了微弱的六方纖鋅礦結構。同時摻雜使薄膜的晶格常數(shù)增加, 晶粒尺寸減小。La 的摻入減小了薄膜的光學帶隙, 增強了短波和近紅外波段的透過率, 使S 元素的百分含量增加, 薄膜中Cd 與S 的比更接近化學計量比。
參考文獻：
[1]Das S K,Morris G C.Preparation and Properties of Electrode-posited Indium Tin Oxide/SnO2/CdTe and Indium Tin Ox-ide/SnO2/CdS CdTe Solar Cells[J].J Appl Phys,1993,73(2):782-786
[2]何智兵,韓高榮.CdS薄膜的光學及其電學性能的研究[J].真空科學與技術學報,2004,24(2):125-132
[3]Aramoto T,Kumazawa S,Higachi H,et al.16%EfficientThin-Film CdS/CdTe Solar Cells[J].J Appl Phys,1997,36(10):6304-6305
[4]李蓉萍,李琦.摻Sb-CdTe薄膜的結構及其光學特性研究[J].真空科學與技術學報,2002,22(6):474-476
[5]陳海燕,楊曉玲,羅庇榮,等.CdS及其稀土摻雜納米帶的制備與發(fā)光性質的研究[J].功能材料,2010,41(1):115-117
[6]董海成,李蓉萍,李忠賢,等.真空蒸發(fā)制備稀土Dy摻雜CdTe薄膜及其特性研究[J].真空科學與技術學報,2010,30(6):588-592
[7]侯娟,鄭毓峰,董有忠,等.Er3+注入CdTe薄膜的結構和光電性能研究[J].物理學報,2006,55(12):6684-6690
[8]劉高斌,郭江,馮慶,等.硫化鎘薄膜的XPS研究[J].光電子技術,2002,22(3):141-144
[9]Chu Ting L,Chu Shirley S.Thin FilmⅡ-ⅥPhotovoltaics[J].Solid-State Electron,1995,38(3):533-549
全文下載：
La摻雜對CdS薄膜性能的影響
