蒸發(fā)源是真空鍍膜裝置中一個(gè)非常重要的部件。在多個(gè)蒸發(fā)源共存的裝置中，如何在設(shè)計(jì)中正確選擇蒸發(fā)源與蒸發(fā)源、蒸發(fā)源與基片之間的距離就顯得尤為重要，它直接關(guān)系到基板涂層均勻性。本篇文章根據(jù)蒸發(fā)源與基片之間的物理聯(lián)系入手，分析基片- - 蒸發(fā)源距離對(duì)基片涂層均勻性的影響，進(jìn)而對(duì)蒸發(fā)源與蒸發(fā)源、蒸發(fā)源與基片之間距離的確定，提出了自己的一些觀點(diǎn)和看法。

　　在各種真空鍍膜裝置中，大家都期望在基片上獲得均勻的涂層。然而，由于受到蒸發(fā)源形式（電阻加熱、感應(yīng)加熱、電子束加熱、e 型電子槍、電弧蒸發(fā)源和磁控濺射等）、形狀（絲狀、籃狀、坩堝、箔狀、舟狀、小平面狀等）、加熱材料（石墨、導(dǎo)電氮化硼、鎢、鉬等）、加熱器功率大小、涂層厚度及均勻性要求以及蒸發(fā)速率等多種因素的影響，在蒸發(fā)源設(shè)計(jì)中，如何對(duì)蒸發(fā)源與蒸發(fā)源、蒸發(fā)源與基板之間的距離以及基片幅寬與蒸發(fā)源數(shù)量進(jìn)行正確的選擇，直接影響著基片涂層的均勻性和質(zhì)量。因此，用便捷的方法確定蒸發(fā)源和蒸發(fā)源、蒸發(fā)源和基片之間的距離以及不同基片幅寬下的蒸發(fā)源數(shù)量，是各種卷繞真空鍍膜裝置在工程設(shè)計(jì)中需要解決的實(shí)際問題。

　　多年來，通過對(duì)真空鍍膜裝置中蒸發(fā)源與發(fā)源、蒸發(fā)源與基片之間的距離對(duì)基板涂層均性的影響的問題進(jìn)行了一些探索，對(duì)它們之間的一些內(nèi)在聯(lián)系進(jìn)行了一些研究和總結(jié)，在這里給出了一些經(jīng)驗(yàn)公式和計(jì)算式，供大家參考。

5、結(jié)束語

　　在卷繞鍍膜裝置的設(shè)計(jì)中，對(duì)于多大幅寬的基片，應(yīng)該配置多少蒸發(fā)源？蒸發(fā)源與蒸發(fā)源、蒸發(fā)源與基片之間的距離如何確定？目前尚無文獻(xiàn)明確論述和界定。本人根據(jù)多年從事真空技術(shù)工作的經(jīng)驗(yàn)和對(duì)國內(nèi)外連續(xù)鍍膜裝置的研究，對(duì)蒸發(fā)源數(shù)量n 的確定以及蒸發(fā)源與基板之間距離h的選擇給出了便捷的經(jīng)驗(yàn)公式和計(jì)算式，經(jīng)驗(yàn)證實(shí)用可靠，供大家參考，期望能給大家的工作帶來方便。不妥之處請(qǐng)給與批評(píng)指正。

參考文獻(xiàn)

　　[1] 達(dá)道安. 真空設(shè)計(jì)手冊(cè)[M]. 北京：國防工業(yè)出版社，2004.
　　[2] 王福貞, 等. 表面沉積技術(shù)[M]. 北京：機(jī)械工業(yè)出版社，1989.