電極調(diào)制高分子阻變存貯器阻變機(jī)制

2012-11-19 曾 飛

電極調(diào)制高分子阻變存貯器阻變機(jī)制

曾 飛

  摘要 基于高分子的阻變存儲(chǔ)器子在高密度存儲(chǔ)、柔性電子器件等方面有可能得到應(yīng)用。2003 年,美國普林斯頓大學(xué)Forrest 課題組用PEDOT:PSS 這種導(dǎo)電高分子制備出一次寫入、多次讀取的存儲(chǔ)器時(shí),立刻引起廣泛的關(guān)注,因?yàn)槿藗兤谕@是一種新的、高密度、和常用光盤一樣便宜的高分子存儲(chǔ)材料。隨后人們陸續(xù)對這種材料進(jìn)行了很多研究,課題組發(fā)現(xiàn)通過改變電極,可以對PEDOT:PSS 進(jìn)行阻變機(jī)制的調(diào)制。

  在Al/PEDOT:PSS/Al,結(jié)構(gòu)中發(fā)現(xiàn)阻變機(jī)制主要由PEDOT:PSS 的氧化還原反應(yīng)控制,如果在PEDOT:PSS 中摻入另一種高分子,可以改變PEDOT 的分子構(gòu)型,調(diào)制其阻變窗口。在Cu/PEDOT:PSS/Al 體系中,Cu 通過氧化還原反應(yīng)在PEDOT:PSS 層中形成了導(dǎo)電細(xì)絲,這種金屬導(dǎo)電細(xì)絲由于電阻低,開關(guān)電壓低,有效的降低了功耗,提高了器件的穩(wěn)定性,使器件工作到160o 而不失效。在Ti/PEDOT:PSS/Ti 體系中,發(fā)現(xiàn)器件的I-V 曲線由電極-高分子界面的Ti 氧化物和PEDOT:PSS 兩種阻變材料控制,這兩種阻變機(jī)制在同一方向加載電壓下作用機(jī)理是相反的,低電壓時(shí)Ti 氧化物阻變層起作用,而高電壓值時(shí),PEDOT:PSS 還原反應(yīng)起作用。這兩種阻變機(jī)制的相互作用與神經(jīng)突觸的功能非常相似。

  因此,有望將基于PEDOT:PSS 的阻變存儲(chǔ)器應(yīng)用于傳統(tǒng)的“0-1”存儲(chǔ)模式和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算兩個(gè)方面,尤其后者,有可能更好地理解人腦學(xué)習(xí)和記憶的功能,構(gòu)建新一代智能計(jì)算機(jī)。