行波管高頻結(jié)構(gòu)及衰減的模擬
耦合腔行波管是一類重要的微波器件,具有功率大、增益高、帶寬寬等優(yōu)點(diǎn),在雷達(dá)、通信、遙測(cè)等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。但耦合腔行波管結(jié)構(gòu)特別精細(xì),加工工藝相當(dāng)困難,而且工作頻率相當(dāng)高,給微波測(cè)試帶來了一系列高難要求,費(fèi)用也很高。因此,在耦合腔行波管設(shè)計(jì)開發(fā)過程中,為了降低研究成本,我們要借助軟件對(duì)其進(jìn)行仿真。
1、高頻結(jié)構(gòu)參量及衰減的優(yōu)化模擬
高頻結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的好壞直接關(guān)系到行波管能量交換效率、工作頻率范圍、帶寬以及工作模式等。因此高頻結(jié)構(gòu)的分析計(jì)算是行波管設(shè)計(jì)必須和關(guān)鍵的工作。加工的實(shí)驗(yàn)管采用技術(shù)上比較成熟的常規(guī)休斯型耦合腔鏈高頻結(jié)構(gòu),見圖1。通過實(shí)驗(yàn)冷測(cè),我們發(fā)現(xiàn)前加工的休斯型耦合腔行波管通頻帶性能較差,駐波比比較大,而且波動(dòng)比較厲害。這說明管子的內(nèi)部反射很大,輸能裝置不匹配。而產(chǎn)生自激振蕩的一個(gè)重要原因就是管子的內(nèi)部反射,為了防止自激振蕩,我們?cè)O(shè)置了集中衰減器。
圖1 休斯腔慢波結(jié)構(gòu)
為了改善管子的性能,減小通頻帶的帶內(nèi)波動(dòng),降低管子的駐波比,我們從冷測(cè)和CST 軟件模擬出發(fā),做了下面一些優(yōu)化工作。
首先,優(yōu)化耦合腔間隙G。行波管工作于腔通帶,基波是返波,電子束和前向諧波發(fā)生互作用并交換能量,這時(shí)行波管工作于慢波線通頻帶的中心頻率時(shí)線上每周期相移為βl=3π/2 。考慮相對(duì)論效應(yīng)并求出電子槍加速電壓20 kV 對(duì)應(yīng)的電子速度Ve,即可確定與之同步并進(jìn)行能量交換的高頻信號(hào)的相速Vp,由Vp=2πfl/φ可確定相移φ=3π/2,中心頻率為2.5G時(shí)休斯腔單腔長(zhǎng)度l 的尺寸。而腔間隙電子渡越角一般在π/2-π,對(duì)應(yīng)G 的應(yīng)為l/3-2l/3。軟件模擬發(fā)現(xiàn)G=0.41l 時(shí)通帶性能較好, 滿足此范圍。
圖2 高頻結(jié)構(gòu)參量模型
再次,優(yōu)化耦合槽的大小和角度,其它保持不變。
耦合系數(shù)k 定義為被耦合槽截獲的電流與耦合腔中傳導(dǎo)的電流的比值。經(jīng)簡(jiǎn)化,耦合系數(shù)為耦合槽的面積與形成槽環(huán)的面積比,即:
k=α/2π +rs2/Rs2
槽的有效長(zhǎng)度為:ls = 2π + Rsk耦合槽也可近似看作兩端短路的TEM 波平板傳輸線,諧振時(shí)槽的長(zhǎng)度ls 恰為槽孔諧振波長(zhǎng)的一半,此時(shí)ωs = πc/ls行波管工作于腔通帶,槽通道在腔通帶上,此時(shí)要求ωs 較高,從而要求ls 較小,這樣就限制了耦合槽的尺寸,也限制了耦合系數(shù)k 不能太大。通過軟件CST模擬優(yōu)化耦合槽張角α ,rs和Rs,通過模擬發(fā)現(xiàn),張角增大,槽孔變大,通頻帶變寬, 而且當(dāng)α 在90°附近時(shí)通帶性能較好。
最后,優(yōu)化吸收衰減,改變吸收衰減的形狀,厚度,位置。通過本征模擬,發(fā)現(xiàn)電場(chǎng)主要分布在靠近加載頭兩側(cè)的區(qū)域。當(dāng)加載頭為外圓錐和內(nèi)圓錐狀時(shí),電場(chǎng)向腔壁和中心軸線方向迅速減弱,加載頭為圓筒狀時(shí),電場(chǎng)主要分布在圓筒橫截面圓環(huán)區(qū)域,此區(qū)域電場(chǎng)變化不大,電場(chǎng)最強(qiáng)點(diǎn)分布在截面圓環(huán)內(nèi)環(huán)處。電場(chǎng)向腔壁迅速減弱, 向中心軸線方向慢慢減弱,中心減弱到電場(chǎng)最強(qiáng)點(diǎn)的75%。將柱形衰減放在電場(chǎng)分布強(qiáng)的區(qū)域(如圖2)有利于信號(hào)的吸收衰減,反射小的多,駐波比明顯變好,模擬結(jié)果如圖3。