采用分子動(dòng)力學(xué)方法模擬不同能量的C+ 離子與聚變材料鎢的相互作用。模擬結(jié)果表明: 當(dāng)C+ 離子入射劑量為3.11×10¹⁶ cm^-2 , 入射能量為50 eV 時(shí), 樣品表面形成一層碳膜; 而入射離子能量為150 和250 eV 時(shí), C+ 離子入射到樣品內(nèi)與鎢原子共同形成碳鎢混合層, 樣品表面沒(méi)有形成碳膜; 碳的沉積率隨能量的增大先減小后增加, 濺射率隨能量的增大先增大后減小; 轟擊后的樣品中, 碳原子密度、C-W 鍵密度及C-C 鍵密度分布都隨能量的增加逐漸向樣品內(nèi)移動(dòng), 且C-W 鍵分布厚度隨能量的增加而逐漸增加, C-C 鍵分布厚度幾乎不隨能量變化; 在作用過(guò)程中極少量的鎢原子發(fā)生濺射, 但引起鎢晶格損傷嚴(yán)重; 碳在轟擊后的樣品中主要以C sp³雜化形式存在。

　　鎢具有熔點(diǎn)高、濺射率低、機(jī)械特性好、抗輻射強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn), 因此被選作為國(guó)際熱核反應(yīng)堆(ITER)中偏濾器擋板下部、垂直靶上部、拱頂?shù)炔课坏氖走x材料。但鎢材料受到強(qiáng)大熱沖擊時(shí)表現(xiàn)出性能不穩(wěn)定等缺點(diǎn), 且鎢為高Z 性材料, 一旦濺射的鎢粒子進(jìn)入等離子體區(qū)將引起嚴(yán)重的熱輻射損失。故在偏濾器部件垂直靶中下部和收集板選用抗熱沖擊性能好的石墨作為候選材料,但石墨材料的濺射閾能低, 易發(fā)生物理和化學(xué)濺射,若濺射產(chǎn)物中含碳化合物在鎢材料表面發(fā)生再沉積作用, 則導(dǎo)致鎢材料性能發(fā)生變化。因此研究不同能量下C+ 離子與鎢材料表面相互作用的影響, 有助于對(duì)第一壁材料選取和性能的設(shè)計(jì)。

　　近年來(lái), G.Federici 等實(shí)驗(yàn)研究了鎢在氘、氚高能離子轟擊下相關(guān)性能的變化, 研究結(jié)果表明鎢不易發(fā)生濺射, 高能的氘、氚粒子只能引起鎢材料的局部融化, 但對(duì)鎢材料的特性不產(chǎn)生影響, 同時(shí)也不影響鎢的使用壽命; Liudvikas Pranevicius等實(shí)驗(yàn)研究了Ar+ 與碳原子共同與鎢基底相互作用, 結(jié)果表明在低氣壓下, 碳沉積在鎢表面形成一層碳膜, 阻止了后續(xù)碳原子對(duì)鎢的刻蝕。由于實(shí)驗(yàn)研究對(duì)材料微觀機(jī)理變化不明確, 為了揭示含碳粒子與鎢表面相互作用的微觀機(jī)理。Yue-Lin Liu 等從第一性原理出發(fā)模擬了鎢材料中缺陷對(duì)碳的影響, 結(jié)果表

　　明隨著入射碳原子的增加, 碳和鎢更易形成化學(xué)鍵。Zhongshi Yang等用分子動(dòng)力學(xué)方法模擬了碳和鎢表面的相互作用, 研究結(jié)果表明隨著入射離子能量增加, 離子入射到樣品內(nèi)的平均深度增加。但在相互作用過(guò)程中對(duì)入射離子沉積、濺射的微觀機(jī)理以及入射離子在樣品中分布的研究還很少。

　　本文采用分子動(dòng)力學(xué)方法模擬了C+ 離子與鎢表面的相互作用過(guò)程, 主要研究碳原子的沉積、濺射、對(duì)鎢晶格的刻蝕及在樣品中的分布來(lái)揭示其微觀相互作用機(jī)制, 為進(jìn)一步試驗(yàn)提供理論依據(jù)和數(shù)據(jù)參考。

　　本文通過(guò)模擬入射能量為50, 100, 150, 200,250, 300 eV 的C+ 離子轟擊鎢樣品, 分析在相互作用的過(guò)程中碳的沉積、濺射和W 原子的濺射, 以及各原子在樣品中的分布和成鍵形式。在所選模擬條件下得到如下結(jié)果: 碳的入射深度隨能量增加而增加,在50 eV 時(shí), 在碳鎢混合層表面形成一層碳膜, 而能量為150 和250 eV 時(shí), 入射C+ 離子轟入到樣品中形成碳、鎢混合層, 沒(méi)有形成碳膜; 碳的沉積率先減少后增加, 150 eV 時(shí), 沉積率達(dá)到最小, 碳的濺射率先增大后減小, 在150 eV 時(shí), 濺射率達(dá)到最大; 在作用過(guò)程中造成W 原子濺射很少, 其濺率不超過(guò)0.3% , 但鎢晶格受到嚴(yán)重破壞; 隨著入射能量增加,C 原子密度、形成C-W 鍵密度及C-C 鍵密度分布都在向樣品內(nèi)移動(dòng), 且C-W 鍵密度分布寬度在樣品內(nèi)擴(kuò)寬, 而C-C 鍵分布厚度幾乎不隨入射離子能量變化, 且薄膜的膨脹厚度隨入射離子能量增加而減小,碳在轟擊后的樣品中主要以Csp 3 雜化形式存在。

　　在C+ 離子轟擊鎢樣品過(guò)程中, 鎢的濺射主要是高能的C+ 離子造成, 小于50 eV 的入射C+ 離子不能使W 原子發(fā)生濺射, 碳在鎢材料表面形成一層碳膜, 有利益后續(xù)C+ 離子的沉積, 雖然碳膜保護(hù)了鎢材料免受其它高能粒子的轟擊, 但越來(lái)越厚的碳膜不利于裝置的運(yùn)行, 由于裝置所處環(huán)境極為復(fù)雜,還需要考慮各種情況下沉積原子在其它高能粒子作用下的濺射, 這將是下一步所需要做的工作。研究原子和原子間鍵密度在樣品中的分布情況, 可以了解入射離子轟入到樣品中的深度, 從而知道原子在樣品中與其它原子的結(jié)合能及對(duì)晶格鍵的破壞程度。碳在樣品中以sp 3 雜化成鍵時(shí), 形成類金剛石硬質(zhì)薄膜, 其化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、透明度好、硬度高,可以防止裝置異常情況下的突發(fā)事件, 此外, 可以得到除高溫高壓下獲得類金剛石薄膜的另一種方法。