為了尋找三代像增強器管內(nèi)陰極靈敏度下降產(chǎn)生的原因, 用質(zhì)譜計作為質(zhì)量監(jiān)測手段, 通過對陰極原子級潔凈表面獲得、陰極激活銫、氧提純工藝參數(shù)優(yōu)化研究, 所制備的透射式GaAs 陰極光電發(fā)射穩(wěn)定性進行在線考核試驗, 結果表明, 優(yōu)化工藝激活的光電陰極在真空度10^{- 9} Pa, 主要殘氣為H2、N2、Ar 的超高真空度中存放500 h, 靈敏度穩(wěn)定。銦封到管內(nèi)陰極靈敏度下降與真空度降低和有害氣體污染有關, 不是陰極自身的問題, 重點應開展制管工藝質(zhì)量對靈敏度影響分析研究。

　　對用GaAs 光電陰極制成的高性能三代微光成像器件, 在進行光電陰極靈敏度的測試時, 發(fā)現(xiàn)陰極靈敏度常出現(xiàn)有升高和降低現(xiàn)象。這一問題的出現(xiàn), 嚴重影響了器件實用化進程和器件工作壽命。從器件制造工藝來講, 造成光電陰極靈敏度不穩(wěn)定的因素是很多的, 其中主要有1、銦封慢漏氣, 2、管內(nèi)部件放氣, 3、GaAs 基底激活層沒有達到原子潔凈表面, 4、Cs、O 激活陰極靈敏度不穩(wěn)定等。他們都可能是造成陰極靈敏度下降的主要原因, 所以必須要結合器件工藝開展專題研究。以上四個問題中, 1、2屬于管體封接和部件處理工藝范圍, 3、4屬于光電陰極制作范圍。為搞清光電陰極銦封到管內(nèi)靈敏度下降的問題, 本文重點對GaAs 陰極激活工藝對光電發(fā)射穩(wěn)定性影響開展了實驗研究, 通過質(zhì)譜計對工藝過程質(zhì)量進行監(jiān)控, 確定了最佳工藝參數(shù), 首先解決了GaAs 陰極原位激活光電發(fā)射不穩(wěn)定問題。真空技術網(wǎng)(http://www.13house.cn/)就對GaAs 陰極在線穩(wěn)定性研究方面所取得的結果作以報道。

1、透射式陰極組件結構

　　三代像增強器所用的陰極結構如圖1 所示。光輸入窗為康寧7056 玻璃, 最上層是GaAs 激活層, 下層是緩沖層, 緩沖層下是Si3N4 純化層, 它們是采用熱壓粘接在一起的。GaAs 激活層到Si3N4 層之間總厚不超過4 um。通常要求GaAs 激活層無針孔、無各種缺陷。

圖1 GaAs 陰極結構

2、實驗裝置

　　GaAs 陰極光電發(fā)射穩(wěn)定性試驗是在超高真空傳遞銦封綜合制管臺陰極激活室進行的, 抽氣系統(tǒng)全部采用無油機組, 主抽泵為離子濺射泵, 前級為無油機械泵配磁懸浮分子泵, 離子泵,裝液氮冷阱,鈦升華泵, 極限真空為4×10^-9 Pa。激活室配有微電流光電測試儀, 用于對陰極激活光電流的檢測。激活室還裝有殘氣分析質(zhì)譜計, 用于對系統(tǒng)真空殘氣和材料放氣、陰極組件熱清洗放氣過程質(zhì)量檢測。

3、激活工藝參數(shù)確定

　　將陰極組件送入激活臺后, 把對陰極高低溫熱清洗, 銫、氧源除氣和交替激活的全過程稱之為激活工藝。它是獲得GaAs 負電子親合勢陰極的關鍵工藝, 如果工藝質(zhì)量出現(xiàn)問題, 會造成GaAs 陰極光電發(fā)射不穩(wěn)定。通過長時間對陰極激活工藝試驗研究確定了最佳工藝參數(shù), 保證了GaAs 陰極激活原位光電發(fā)射穩(wěn)定性。

3.1、最佳熱清洗工藝

　　采用錸鎢合金材料繞制成的螺盤式加熱器對GaAs 陰極組件在10^{- 8} Pa 真空環(huán)境中進行熱輻射加熱除氣, 同時用輻射系數(shù)為0.5 的紅外高溫計檢測GaAs 激活層表面加熱溫度, 通過大量試驗第一輪熱清洗的最佳參數(shù)是90 min 內(nèi)把GaAs 陰極表面溫度升到600℃ , 保溫60 min 后停止加熱。待降溫120min 后開始第一輪Cs、O 激活。這種熱清洗工藝可使原位陰極激活靈敏度達到1400 uA/lm 以上。第二輪熱清洗升溫時間不變, 只是保溫時間為45 min, 溫度為480℃ , 常稱為低溫熱清洗。經(jīng)過第二輪熱清洗, 陰極靈敏度比第一次激活高30% , 可達1500 uA/ lm 以上。實驗證明, 上述熱清洗工藝能夠很好地使GaAs 層達到原子級清潔表面, 并且獲得高靈敏度負電子親和勢陰極。

　　在熱清洗過程中, 還要根據(jù)GaAs 陰極組件的放氣特性選擇合適溫度范圍, 用質(zhì)譜計檢測組件加熱時放出的具體殘氣成分, 以判別組件是否除氣徹底和存在污染。其目的一是用質(zhì)譜分析計對組件在熱清洗時釋放的殘氣成分進行在線追蹤質(zhì)量分析, 力求為獲得高靈敏度, 創(chuàng)造良好的真空環(huán)境。二是通過長期數(shù)據(jù)積累, 為以后陰極激活靈敏度不正常提供分析依據(jù), 利于尋找問題, 避免研究工作走彎路,加快科研步伐。

3.2、陰極激活高純銫、氧獲得

　　GaAs 陰極激活所用的銫、氧源是保證獲得高靈敏度的關鍵材料。對銫源材料的要求是電流加熱反應快, 放氣量小, 無質(zhì)量污染, 不掉粉末, 工作壽命長。根據(jù)上述要求, 選用鋯鋁粉做還原劑的鉻酸銫,具體成分是1 份銫, 16.5 份鋯鋁粉、添加適量的鈮,其優(yōu)點是反應物控制容易, 銫源不易熔斷, 性能可靠, 應用時間長。

　　高純銫的獲得關鍵在于對銫源材料除氣, 工藝參數(shù)的確定。通過對銫源除氣技術研究和對所制備的器件性能指標測試證明, 銫源除氣最大電流在1.5 A 時, 則有銫逸出, 加熱電流在1.5 A 時放氣量最大, 用質(zhì)譜計對放氣量最大時的殘氣成分進行在線分析, 無污染的銫源放出的主要殘氣成分是H2、H2O、CO、CO2、O。對銫除氣從開始到結束, 這個過程需要12 h 來完成, 而且電流是緩慢增加, 太快會使銫反應劇烈, 易造成銫口暴裂, 銫源報廢。當銫源電流加到2.2 A 時, 如果真空度恢復到10^{- 8} Pa,無氣體釋放, 則除氣結束。除氣結束后要對銫進行蒸發(fā)加熱, 電流為2.5 A, 時間為2 min。最后進行銫口開封, 電流為3 A, 時間為10 s, 為保證銫開封后電流的穩(wěn)定性, 還要進行電流為1 A, 時間90 min 銫源老煉, 方可供陰極激活使用。已開封銫源絕對不允許再暴大氣, 必須長期保持在超高真空中, 防止環(huán)境污染。

　　高純氧的獲得也是在激活室中完成的, GaAs 陰極激活所用的氧源材料為過氧化鋇。用質(zhì)譜計對除氣過程進行監(jiān)測, 當氧原子16 與水峰18 之比大于8時, 便可獲得高純氧。最大加熱電流為2.5 A, 從開始到結束, 除氣過程需要8 h。激活時氧源加熱電流在1.5 A 就可滿足要求。高靈敏度三代像增強器的研究證明, 以上所述工藝參數(shù)是高純銫、氧獲得的最佳條件。

3.3、Cs、O 激活

　　把滿足器件要求的GaAs-玻璃粘接陰極組件,在超高真空激活室經(jīng)過高溫( 600℃) 熱清洗, 獲得原子級潔凈表面后, 進行第一輪激活( 真空度必須在10^-8 Pa 以上) , 在Cs 保持不變情況下, 調(diào)節(jié)O, 進行Cs、O 交替激活, 直到光電流達到最值, 然后再對組件進行二輪低溫清洗( 450℃) , 再重復第一輪Cs、O交替激活, 使光電流再次達到最大時激活結束。通常經(jīng)過二輪激活的光電流峰值比第一輪峰值高20% ~ 30%, 靈敏度可達1500 uA/ lm 以上。

4、陰極原位光電發(fā)射穩(wěn)定試驗

　　為了驗證激活后陰極原位光電發(fā)射穩(wěn)定性, 對激活后的陰極進行原位光電發(fā)射穩(wěn)定性試驗。用光通量為1 lx 的光源連續(xù)照射光電發(fā)射層, 用光電流測量儀監(jiān)測光電流隨時間的變化, 500 h 內(nèi)光電發(fā)射電流不下降, 可以認為管內(nèi)光電陰極靈敏度下降不是陰極光電發(fā)射不穩(wěn)定造成的。把激活靈敏度較高的陰極放在激活原位, 系統(tǒng)抽氣泵處于工作狀態(tài)下,每隔2 h 監(jiān)測一次光電流, 經(jīng)過500 h 后, 光電流沒有下降, 證明了原位激活光電流的穩(wěn)定性, 結果如圖2 所示。從圖中可看出500 h 后管內(nèi)陰極靈敏度下降比在臺內(nèi)動態(tài)狀態(tài)下下降快, 若管體銦封不漏氣,其靈敏度下降主要原因是由管內(nèi)真空度下降引起的。陰極在激活室內(nèi), 由于真空泵的不斷抽氣, 能始終維持超高真空狀態(tài)。相反管內(nèi)無抽氣泵, 加上微通道板和熒光屏工作狀態(tài)下的微量放氣, 管內(nèi)真空度肯定會下降, 從而造成陰極靈敏度的下降。如果微通道板除氣不徹底, 電子轟擊時釋放的有害氣體也會造成陰極靈敏度下降。

圖2 陰極穩(wěn)定性曲線

　　需要說明的是, 臺內(nèi)試驗只反映了GaAs 陰極在動態(tài)超高真空室內(nèi)的穩(wěn)定性, 而不能證明在管內(nèi)靜態(tài)真空中的穩(wěn)定性。管內(nèi)靜態(tài)真空中的穩(wěn)定性專門需要制作器件模擬超高真空系統(tǒng), 模擬器件工作條件開展專項課題研究。

5、結論

　　通過對GaAs-玻璃粘接透射式陰極激活光電發(fā)射在線穩(wěn)定性研究, 可以得出以下結論:

　　(1) 對GaAs-玻璃粘接陰極組件光電發(fā)射層進行高溫600℃, 保溫60 min, 可以獲得原子級清潔表面。二輪低溫450℃, 保溫50 min 熱清洗, 陰極靈敏度比一輪激活提高25% 。

　　(2) 對GaAs 陰極激活銫源采用0~ 1.5 A, 10 h緩慢除氣, 2.5 A, 60 s 的蒸發(fā)加熱和3 A, 10 s 的銫源開封, 最后進行電流1 A, 60 min 穩(wěn)定, 可獲得高純銫。氧源0~ 2 A 除氣8 h, 最大除氣電流2􀀁5 A。當16(O) 峰和18(H2O) 峰高之比大于8 時, 可獲得高純氧。

　　(3) 超高真空度條件下, 對陰極進行高低溫熱清洗兩輪激活, 激活時Cs 保持不變, 靠改變氧完成Cs, O 交替激活。

　　(4) 對采用優(yōu)化陰極激活工藝制備的GaAs 光電陰極進行原位在線光電穩(wěn)定性試驗, 陰極靈敏度動態(tài)超高真空中500 h 不下降。光電發(fā)射性能穩(wěn)定。管內(nèi)陰極靈敏度下降不是陰極自身發(fā)射問題, 是由管內(nèi)真空度降低和有害氣體污染引起的。