一種電子碰撞型離子源性能的數(shù)值模擬研究

張文臺(tái) 郭美如

(蘭州空間技術(shù)物理研究所，甘肅 蘭州 730000)

　　摘 要：電子碰撞離子源的聚焦和離子引出效率對(duì)其工作性能有著重要影響。本文采用SIMION-3D 8.0 軟件建立了一種電子碰撞型離子源模型，計(jì)算了離子的運(yùn)動(dòng)軌跡，采用相空間分析方法，得到靜電透鏡聚焦處離子的位置聚焦半徑和速度聚焦半徑，分析了離子源各參數(shù)對(duì)聚焦和離子引出效率的影響。

　　研究結(jié)果表明當(dāng)S 和α狹縫分別加負(fù)偏壓時(shí)，離子束在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中能夠兩次聚焦，從而得到很好的聚焦性能和引出效率，本文為離子源優(yōu)化設(shè)計(jì)提供重要的理論依據(jù)和實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)。