本文首先利用離子光學(xué)模擬軟件SIMION7.0, 對自制的電子轟擊離子源(EI) 進(jìn)行模擬試驗(yàn), 獲得離子在EI 內(nèi)的運(yùn)動參數(shù), 包括位置、速度。隨后, 利用相空間方法, 分析EI 各參數(shù)對其性能的影響, 包括各電極電壓對聚焦效果以及出射速度分散程度的影響, 并最終獲得EI 各參數(shù)對離子源發(fā)射度的影響。本文的研究能夠指導(dǎo)EI 的理論設(shè)計(jì), 使其參數(shù)得到最優(yōu)化,從而改善EI 的性能, 以實(shí)現(xiàn)EI與質(zhì)量分析器最佳連接。

　　電子轟擊源(EI) 是質(zhì)譜分析氣態(tài)樣品時常用的離子源之一, 能夠用于四極桿、飛行時間和磁式質(zhì)量分析器, 在物理、化工、環(huán)境、能源、檢驗(yàn)檢疫、公共安全等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用 。在質(zhì)譜儀器中, 離子源的作用有兩方面: 將被分析的物質(zhì)電離成正離子或負(fù)離子; 把離子引出、加速和聚焦。由此可知,離子源性能是影響質(zhì)譜儀器分析性能的關(guān)鍵因素之一。因此, 在進(jìn)行離子源設(shè)計(jì)時, 必須首先分析離子源參數(shù)對其性能影響, 使得離子源參數(shù)最優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)離子源的最佳性能。

　　本文首先采用離子光學(xué)模擬軟件SIMION 7.0得到離子在自制EI 內(nèi)的運(yùn)動狀態(tài)。隨后, 利用相空間方法進(jìn)行離子在自制EI 內(nèi)的初始位置和自制EI的電參數(shù)對粒子束聚焦效果以及離子出射速度分散影響的研究, 并以此對自制EI 進(jìn)行了改進(jìn)。

1、自制EI 結(jié)構(gòu)

　　自制GC-MS 離子源結(jié)構(gòu)如圖1 所示。電離室R與極板C 構(gòu)成了離子源的電離區(qū)域, 用于氣態(tài)樣品的電離。電離室R 上下有兩個開口N, 為電子入口。電極A 和電極B 組成了一組靜電透鏡, 用于將被離子化的樣品離子引出, 加速并聚焦。

圖1 自制電子轟擊離子源的結(jié)構(gòu)圖

　　自制EI 的電離室R 的長度為6mm, 開口直徑為9mm。電極C 的開口直徑為5mm, 電極B 的開口直徑為5 mm, 電極A 的開口直徑為3.2 mm。電極A、B 和C 之間的間距為1mm。電子入口處的開口直徑為3 mm。電極A、B 和C 的厚度為0.5mm。

5、結(jié)論

　　基于SIMION7.0 的模擬試驗(yàn), 本文利用相空間方法分析了離子在離子源內(nèi)初始位置和離子源電參數(shù)對離子出射時狀態(tài)的影響, 包括聚焦程度和速度分散。通過本文的分析可知, 離子在x , y , z 方向上的初始位置分散, 將使得離子從離子源出射時的相空間圖形發(fā)生變形, 這使得離子源的出射度不能與四極式質(zhì)譜儀的接受度很好的匹配。有關(guān)如何實(shí)現(xiàn)離子源出射度如何與四極式質(zhì)譜儀接受度的最佳匹配將在后續(xù)的報(bào)道中對其進(jìn)行論述。

　　通過利用相空間方法進(jìn)行離子源電參數(shù)對離子出射時狀態(tài)的研究, 可知在自制EI 原有的結(jié)構(gòu)上,無論怎么調(diào)整離子源的電壓, 都無法實(shí)現(xiàn)離子在出射處的位置分散最小和速度分散最小。因此, 本文最后改了自制EI 的結(jié)構(gòu)參數(shù), 并利用相空間方法對其進(jìn)行了性能分析。通過調(diào)整離子源B 電極電壓, 最終實(shí)現(xiàn)了離子在出射處位置和速度分散的最小化。

　　本文的研究為EI 的理論設(shè)計(jì)提供了方法。該方法能夠用于指導(dǎo)EI 參數(shù)的優(yōu)化, 以實(shí)現(xiàn)EI與質(zhì)量分析器的最佳連接。