本文采用MBE進(jìn)行InAs/GaAs與InGaAs/GaAs量子點(diǎn)的生長(zhǎng),利用RHEED進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),并利用RHEED強(qiáng)度振蕩測(cè)量生長(zhǎng)速率。對(duì)生長(zhǎng)的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs兩種量子點(diǎn)生長(zhǎng)過程與退火情況進(jìn)行對(duì)比,觀察到當(dāng)RHEED衍射圖像由條紋狀變?yōu)榫W(wǎng)格斑點(diǎn)時(shí),InAs所需要的時(shí)間遠(yuǎn)小于InGaAs;高溫退火下RHEED衍射圖像恢復(fù)到條紋狀所需要的時(shí)間InAs比InGaAs要長(zhǎng)。

　　近年來，微電子行業(yè)的高速發(fā)展，對(duì)電子器件的集成度、處理速度、高頻率以及載流子高遷移率等性能提出了更高的要求。基于量子力學(xué)效應(yīng)的納米半導(dǎo)體技術(shù)，特別是半導(dǎo)體材料及納米電子學(xué)、光電子學(xué)、量子計(jì)算和量子通信等已成為當(dāng)前國(guó)際前沿研究熱點(diǎn)。

　　人們?cè)谧非蟾�新、更小、性能更�?yōu)越的量子器件的研究中發(fā)現(xiàn)，為了更好地按需對(duì)材料(及相應(yīng)的器件) 進(jìn)行人工剪裁，僅在一個(gè)維度上對(duì)載流子實(shí)現(xiàn)限制常常是不夠的。人們希望電子在材料中的運(yùn)動(dòng)受到三維限制，電子的能量在三個(gè)方向上都是量子化的這種結(jié)構(gòu)即為量子點(diǎn)。近幾年來，利用分子束外延技術(shù)（Molecular Beam Epitaxy，MBE） 進(jìn)行應(yīng)變自組織生長(zhǎng)模式（Stranski- Krastanow，SK） 原位生長(zhǎng)量子點(diǎn)取得突破性進(jìn)展。所謂自組織生長(zhǎng)納米量子點(diǎn)，是具有較大晶格失配度的兩種材料，依靠自身的應(yīng)變能量，在襯底表面上形成的具有一定形狀、尺寸和密度的自然量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。這種自發(fā)形成的小島被用于半導(dǎo)體自組裝量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)材料，它廣泛應(yīng)用于光纖通信、單電子(或少電子)存儲(chǔ)器，以及量子計(jì)算等領(lǐng)域。用量子點(diǎn)材料制成的激光器具有高的特征溫度、低的閥值電流密度、高微分增益和寬的調(diào)制頻率等。

　　本文就MBE 系統(tǒng)生長(zhǎng)InAs 及InGaAs 量子點(diǎn)的形成時(shí)間及高溫退火后的情況進(jìn)行比較和簡(jiǎn)單分析。

3、結(jié)論

　　利用配備RHEED 原位監(jiān)測(cè)的MBE 系統(tǒng)生長(zhǎng)InAs 及InGaAs 量子點(diǎn)，并對(duì)生長(zhǎng)過程進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，通過RHEED 圖像演變對(duì)InAs 及InGaAs量子點(diǎn)的形成時(shí)間及高溫退火后的情況進(jìn)行比較和簡(jiǎn)單分析。我們得到：InAs 的量子點(diǎn)形成時(shí)間遠(yuǎn)比InGaAs 量子點(diǎn)的形成時(shí)間短；高溫退火下InGaAs 衍射圖像恢復(fù)到條紋狀所需要的時(shí)間則比InAs 要少。本次生長(zhǎng)也為下一步高質(zhì)量的InAs (InGaAs)/GaAs 量子點(diǎn)的生長(zhǎng)和研究提供了基礎(chǔ)。

　　【作者】 何浩；賀業(yè)全；楊再榮；羅子江；周勛；丁召；

　　【Author】 HE Hao1,HE Ye-quan1,YANG Zai-rong1,LUO Zi-jiang1,2,ZHOU Xun1,3,DING Zhao1 (1.College of Science,GuiZhou University,Guiyang 550025,China;2.School of Education Administration, Guizhou College of Finance and Economics,Guiyang 550004,China;3.School of Physics and Electronic Science,Guizhou Normal University,Guiyang 550001,China)

　　【機(jī)構(gòu)】 貴州大學(xué)理學(xué)院；貴州財(cái)經(jīng)學(xué)院教育管理學(xué)院；貴州師范大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院；

　　【Abstract】 Investigates the growth of InAs/GaAs and InGaAs/GaAs quantum dots via MBE,with RHEED used for real-time monitoring of film surface morphology and for growth rate measuring through intensity fluctuation.Comparing the growing process of quantum dots and annealing conditions of InAs/GaAs with that of InGaAs/GaAs,it was found that if the RHEED pattern changes to spotty from streaky the changing time required for InAs is far shorter than that for InGaAs.By contrast,if the RHEED pattern changes reversely during high-temperature annealing,the time required for InAs is longer than that for InGaAs.

　　【關(guān)鍵詞】 MBE；RHEED；InAs/GaAs；InGaAs/GaAs；自組裝；退火；

　　【Key words】 MBE(molecular beam epitaxy)；RHEED(reflection high energy electron diffraction)；InAs/GaAs；InGaAs/GaAs；self-assembled；annealing；

　　【基金】 國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(60886001);;貴州大學(xué)研究生創(chuàng)新基金(2010043);;貴州省科技廳基金(Z073085);;貴州省委組織部高層人才科研特助項(xiàng)目(TZJF-2008-31);;貴州省優(yōu)秀科技教育人才省長(zhǎng)專項(xiàng)基金;;黔省專合字(2009)114號(hào)貴州大學(xué)博士基金資助項(xiàng)目(X060031);;教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃(NCET-08-0651)